Вышедшие номера
Аморфизация приповерхностной области эпитаксиального n-GaAs под воздействием атомарного водорода
Торхов Н.А.1, Ивонин И.В.1, Черников Е.В.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 27 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

Было получено, что обработка образцов эпитаксиального n-GaAs изначально с высоким качеством поверхности в атомарном водороде как при наличии, так и при отсутствии на поверхности n-cлоя защитной пленки SiO2 может приводить к аморфизации поверхности и тонкого ~ 7 нм приповерхностного слоя, что сопровождается образованием гидридной фазы. Отсутствие водородной подрешетки в приповерхностном слое может указывать на то, что основными движущими силами в процессе аморфизации эпитаксиального n-GaAs являются химические вазимодействия ближнего порядка между атомами водорода, а также между атомами водорода и атомами основной матрицы кристалла.