Исследовано влияние легирования хромом на энергетический спектр плотности состояний N(E) в запрещенной зоне полупроводникового соединения Hg₃In₂Te₆. Несмотря на то, что примесь хрома не оказывает существенного влияния на электрические свойства и положение уровня Ферми, однако увеличивает ширину зонных хвостов и плотность состояний внутри запрещенной зоны E_g. Из сопоставления данных по эффекту поля и спектрального поглощения в области энергий фотонов hnu, меньших E_g, установлен монотонный характер распределения плотности состояний, которая быстро увеличивается вблизи краев зон валентной и проводимости. Полученные спектры обсуждаются в предположении, что с ростом содержания хрома увеличиваются структурное разупорядочение и случайный потенциал, приводящий к повышению N(E). Показано, что локализованные состояния определяют длину экранирования, обусловливают фиксацию уровня Ферми вблизи середины запрещенной зоны и компенсацию зарядов ионов примеси.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.