Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Солнечные элементы на основе пленок CuIn_1-xGa_xSe₂, полученных импульсным лазерным испарением

Гременок В.Ф.¹, Боднарь И.В.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.³, Schock H.-W.⁴

¹Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Беларуси, Минск, Белоруссия
²Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

⁴Institut fur Physikalische Elektronik, University Stuttgart, Stuttgart, Germany

Поступила в редакцию: 11 мая 2001 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основе поликристаллических пленок твердых растворов CuIn_1-xGa_xSe₂, полученных импульсным лазерным испарением исходных мишеней, впервые созданы солнечные элементы. Изучены вольт-амперные характеристики полученных солнечных элементов и определены их основные фотоэлектрические параметры. Установлена оптимальная концентрация галлия, обеспечивающая повышение эффективности фотопреобразования тонкопленочных солнечных элементов и пленок твердых растворов со структурой халькопирита.

J.L. Shay, J.H. Wernick. Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties and Applications (N.Y., Pergamon Press, 1975)
Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики, под ред. Т. Коутса, Дж. Микина (М., Мир, 1988)
U. Rau, H.-W. Shock. Appl. Phys. A.: Mater. Sci. \& Processing, 69A, 131 (1999)
L. Kazmerski. Renewable and Sustainable Energy Reviews, 1, 71 (1997)
H.W. Schock. Appl. Surf. Sci., 92, 606 (1996)
V.F. Gremenok, E.P. Zaretskaya, I.V. Bodnar, I.A. Victorov. Cryst. Res. Technol., 31, 485 (1996)
Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь, И.В. Боднар, В.Ф. Гременок. ФТП, 32, 385 (1998)
Yu.V. Rud', V.Yu. Rud', V.F. Gremenok, E.P. Zaretskaya, D.D. Krivolap, I.V. Bodnar, S.I. Sergeev-Nekrasov. Sol. St. Phenomena, 67--68, 415 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель