Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние ионизации на поведение кремния в арсениде галлия при радиационном отжиге

Ардышев М.В.¹, Ардышев В.М.¹

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 13 февраля 2001 г.

Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом вольт-фарадных характеристик исследовано поведение кремния, имплантированного в GaAs, после электронного отжига в режиме 7.6 Вт· см^-2/10 с. Электронный пучок воздействовал как на имплантированную, так и на тыльную поверхности пластин. Контрольные образцы отжигали термически в печи в режиме 800^oC/30 мин. Показано, что при электронном отжиге имплантированной стороны коэффициент диффузии D более чем на 3 порядка больше, чем при термическом отжиге, и почти на 2 порядка больше, чем при электронном отжиге тыльной поверхности. Предполагается, что это обусловлено длительным временем существования высокой стационарной концентрации неравновесных электронов и дырок из-за их пространственного разделения.

М.В. Ардышев, В.М. Ардышев. Изв. вузов. Физика, 41, 89 (1998)
М.В. Ардышев, В.М. Ардышев. ФТП, 32, 1153 (1998)
А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М., Наука, 1982)
A. Bakowski. J. Electrochem. Soc., 127, 1644 (1980)
А.В. Черняев. Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на GaAs (М., Радио и связь, 1990)
В.М. Ленченко. ФТТ, 11, 799 (1969)
Б.Л. Оксенгендлер. Письма ЖЭТФ, 24, 12 (1976)
J. Bourgoin, J. Corbett. Phys. Lett. A, 38, 135 (1972)
Б. Аскаров, А.Ш. Махмудов, Б.Л. Оксенгендлер, М.С. Юнусов. Радиоактивируемые процессы в кремнии (Ташкент, Фан, 1977)
J. Smith. Phys. Rev. B, 3, 4330 (1971)
И.А. Аброян, А.Н. Андронов, А.И. Титов. Физические основы электронной и ионной технологии (М., Высш. шк., 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель