Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2001, выпуск 12 » Статья стр. 1417
<<<>>>
Взаимодействие водорода с радиационными дефектами в кремнии p-типа проводимости
Феклисова О.В.1, Ярыкин Н.А.1, Якимов Е.Б.1, Вебер Й.2
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Институт низких температур, Технический университет Дрездена, Дрезден, Германия
Поступила в редакцию: 12 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.
PDF версия
Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследовалось взаимодействие водорода с радиационными дефектами в кремнии p-типа проводимости. Водород вводился в кристаллы, облученные электронами с высокой энергией, при жидкостном химическом травлении в растворе азотной и плавиковой кислот при комнатной температуре и последующем отжиге с обратным смещением при 380 K. Обнаружено, что процесс пассивации радиационных дефектов сопровождается образованием новых электрически активных центров с водородозависимым профилем распределения. Впервые показано, что водород пассивирует электрическую активность комплексов CsCi. На основе данных о пространственном распределении дефектов и кинетики процесса пассивации проведен анализ возможной природы вновь образующихся центров. Определены радиусы захвата водорода дивакансиями, K-центрами, комплексами CsCi и новыми дефектами.
  1. C.H. Seager, R.A. Anderson, J.K.G. Panitz. J. Mater. Res., 2 (1), 96 (1987)
  2. S.J. Pearton, J.W. Cordett, M. Stavola. Hydrogen in Сrystalline Semiconductors (Berlin, Springer, 1992)
  3. J.-U. Sachse, E.O. Sveinbjornsson, W. Jost, J. Weber, H. Lemke. Phys. Rev. B, 55, 16 176 (1997)
  4. J.-U. Sachse, J. Weber, H. Lemke. Mater. Sci. Forum, 258--263, 307 (1997)
  5. E.O. Sveinbjornsson, O. Engstrom. Phys. Rev. B, 52, 4884 (1995)
  6. N. Yarykin, J.-U. Sachse, J. Weber, H. Lemke. Mater. Sci. Forum, 258--263, 301 (1997)
  7. K. Irmscher, H. Klose, KJ. Maas. J. Phys. C, 17, 6317 (1984)
  8. A. Hallen, B.U.R. Sundquist, Z. Paska, B.G. Svensson, M. Rosling, J. Tiren. J. Appl. Phys., 67, 1266 (1990)
  9. O. Feklisova, N. Yarykin. Semicond. Sci. Technol., 12, 742 (1997)
  10. Y. Tokuda. Japan. J. Appl. Phys., 37, 1815 (1998)
  11. A.R. Peaker, J.H. Evans-Freeman, P.Y.Y. Kan, L. Rubaldo, I.D. Hawkins, K.D. Vernon-Parry, L. Dobaczewski. Physica B, 273--274, 243 (1999)
  12. S. Fatima, C. Jagadich, J. Lalita, B.G. Svensson, A. Hallen. J. Appl. Phys., 85 (5), 2562 (1999)
  13. G.D. Watkins. Radiation Damage in Semiconductors (Dunod, Paris, 1965)
  14. G.D. Watkins. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 469, 139 (1997)
  15. T. Zundel, J. Weber. Phys. Rev. B, 39, 13 549 (1989)
  16. W. Song, X.D. Zhan, B.W. Benson, G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 42, 5765 (1990)
  17. P. Leary, R. Jones, S. Oberg. Phys. Rev. B, 57 (7), 3887 (1998)
  18. N. Yarykin, J.-U. Sachse, H. Lemke, J. Weber. Phys. Rev. B, 59 (8), 5551 (1999)
  19. P.M. Mooney, L.J. Cheng, M. Suli, J.D. Gerson, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 15 (8), 3836 (1977)
  20. O. Feklisova, N. Yarykin, Eu. Yakimov, J. Weber. Phys. B, 273--274, 235 (1999)
  21. С.В. Ковешников, С.В. Носенко, Е.Б. Якимов. ФТП, 22, (5), 922 (1988)
  22. P.J. Drevinsky, C.E. Caefer, S.P. Tobin, J.C. Mikkelsen, L.C. Kimerling. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 104, 167 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme