"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Случайный потенциальный рельеф и примесная фотопроводимость компенсированного германия
Дружинин Ю.П.1, Чиркова Е.Г.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 19 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

Предложена модель, описывающая спектральную зависимость фотопроводимости, нормированной на оптическое поглощение, для компенсированного германия при низкой температуре kT<< W (W --- энергетический масштаб случайного потенциального рельефа, возникающего в результате кулоновского межпримесного взаимодействия). Подгонка модельного спектра под экспериментальный позволяет определить W и степень заполнения примесной зоны мелкого донора. Сделан вывод о слабой зависимости длины свободного пробега от энергии электрона в случайном потенциальном рельефе.
  • Ю.П. Дружинин, Е.Г. Чиркова. ФТП, 29, 1575 (1995)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  • Ш.М. Коган. ФТП, 11, 1979 (1977)
  • Нгуен Ван Лиен, Б.И. Шкловский. ФТП, 13, 1763 (1979)
  • В. Карпус, В.И. Перель. ФТП, 16, 2129 (1982)
  • Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.