"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Анализ температурной зависимости концентрации электронов в монокристаллах CdGeAs2
Борисенко С.И.1
1Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 30 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

Проведен анализ температурной зависимости концентрации электронов в монокристаллах CdGeAs2, выращенных новым методом. Вычислено значение концентрации собственных дефектов и энергия активации. Показано, что энергия активации имеет резонансный характер, а концентрация собственных дефектов в исследуемой области температур 10-500 K существенно превышает концентрацию электронов.
  • С.И. Борисенко, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Г. Тютерев. ФТП, 35 (6), 720 (2001)
  • И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Т.Н. Ушакова. ФТТ, 41, 1190 (1999)
  • T.N. Morgan. Phys. Rev. A, 139, 343 (1965)
  • С.И. Борисенко, Г.Ф. Караваев. Изв. вузов. Физика, N 4, 101 (1988)
  • H.C. Casey, jr., F. Stern. J. Appl. Phys., 47, 631 (1976)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.