Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Кинетика фотолюминесценции GaAs под действием поверхностной акустической волны
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 17 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.
Проведено экспериментальное исследование кинетики низкотемпературной фотолюминесценции нелегированного GaAs под действием электрического поля поверхностной акустической волны. Показано, что приложение импульса поверхностной акустической волны с напряженностью поля до ~50 В/см, задержанного на 20-30 мкс относительно лазерного импульса, приводит к значительному (до 10-20 раз) возрастанию интенсивности переходов зона-акцептор при незначительном изменении интенсивности линий донор-акцептор и отсутствии возгорания экситонных переходов. Экспериментальные данные свидетельствуют об ионизации мелких доноров под действием электрического поля поверхностной акустической волны и подтверждают предложенную ранее модель механизма рекомбинации, объясняющую обнаруженное недавно длительное неэкспоненциальное затухание фотолюминесценции свободных электронов в чистом GaAs влиянием многократного захвата свободных электронов из зоны проводимости мелкими донорами.
- D. Bimberg, H. Munzel, A. Steckenborn, J. Christen. Phys. Rev. B, 31, 7788 (1985)
- Я.Ю. Аавиксоо, И.Я. Рейманд, В.В. Россин, В.В. Травников. Письма ЖЭТФ, 53 (7), 377 (1991)
- Д.З. Гарбузов, В.Б. Халфин, М.К. Трукан, В.Г. Агафонов, А. Абдуллаев. ФТП, 12, 1368 (1978)
- R. Dingle. Phys. Rev., 184, 788 (1969)
- A.M. Gilinsky, K.S. Zhuravlev. Appl. Phys. Lett., 68, 373 (1996)
- К.С. Журавлев, А.М. Гилинский. Письма ЖЭТФ, 65 (1), 81 (1997)
- А.М. Гилинский, К.С. Журавлев, Т.С. Шамирзаев, Н.Т. Мошегов, А.И. Торопов. Тез. докл. 3-й Росс. конф. по физике полупроводников (М., 1997) с. 207
- A.M. Gilinsky, K.S. Zhuravlev. Collected Abstracts of the International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter (Osaka, Japan, Aug. 23--27, 1999) p. 172
- А.М. Гилинский, К.С. Журавлев. Тез. докл. 4-й Росс. конф. по физике полупроводников (Новосибирск, 1999) с. 102
- Э.И. Адирович. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов (М., Гос. изд-во / Техн.-теорет. лит., 1956)
- В.В. Антонов-Рамановский. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров (М., Наука, 1966)
- G.M. Martin, A. Mittonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 191 (1977)
- K.S. Zhuravlev, D.V. Petrov, Yu.B. Bolkhovityanov, N.S. Rudaja. Appl. Phys. Lett., 70, 3389 (1997)
- C. Rocke, A.O. Govorov, A. Wixforth, G. Bohm, G. Weimann. Phys. Rev. B, 57, 6850 (1998)
- Ю.М. Гальперин, И.Л. Дричко, А.М. Дьяконов, Д.А. Пристинский, И.Ю. Смирнов, А.И. Торопов. Тез. докл. 4-й Росс. конф. по физике полупроводников (Новосибирск, 1999) с. 109
- A. Wixforth, J. Scriba, M. Wassermeier, J.P. Kotthaus, G. Weimann, W. Schlapp. Phys. Rev. B, 40, 7874 (1989)
- C. Rocke, S. Zimmermann, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, G. Bohm. Phys. Rev. Lett., 78, 4099 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
