Вышедшие номера
Кинетика фотолюминесценции GaAs под действием поверхностной акустической волны
Журавлев К.С.1, Гилинский А.М.1, Царев А.В.1, Николаенко А.Е.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 17 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

Проведено экспериментальное исследование кинетики низкотемпературной фотолюминесценции нелегированного GaAs под действием электрического поля поверхностной акустической волны. Показано, что приложение импульса поверхностной акустической волны с напряженностью поля до ~50 В/см, задержанного на 20-30 мкс относительно лазерного импульса, приводит к значительному (до 10-20 раз) возрастанию интенсивности переходов зона-акцептор при незначительном изменении интенсивности линий донор-акцептор и отсутствии возгорания экситонных переходов. Экспериментальные данные свидетельствуют об ионизации мелких доноров под действием электрического поля поверхностной акустической волны и подтверждают предложенную ранее модель механизма рекомбинации, объясняющую обнаруженное недавно длительное неэкспоненциальное затухание фотолюминесценции свободных электронов в чистом GaAs влиянием многократного захвата свободных электронов из зоны проводимости мелкими донорами.