Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм протекания тока в омическом контакте Pd--сильно легированный p-Al_xGa_1-xN

Бланк Т.В.¹, Гольдберг Ю.А.¹, Калинина Е.В.¹, Константинов О.В.¹, Николаев А.Е.¹, Фомин А.В.¹, Черенков А.Е.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Центр по исследованию роста кристаллов, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 18 сентября 2000 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучается механизм протекания тока в омическом контакте металл-<сильно легированный p-Al_xGa_1-xN>. Твердый раствор p-Al_0.06Ga_0.94N с концентрацией нескомпенсированных акцепторов N_a-N_d=3·10¹⁸-10¹⁹ см^-3 выращивался методом хлорид-гидридной эпитаксии. Омический Pd-контакт создавался методом термовакуумного напыления с последующими температурными обработками. Показано, что барьерный контакт Pd-p-Al_0.06Ga_0.94N с высотой потенциального барьера ~2.3 В после термообработки переходил в омический. Высота потенциального барьера при этом уменьшалась до ~0.05 В. Установлено, что основным механизмом протекания тока в омическом контакте Pd-p-Al_0.06Ga_0.94N при N_a-N_d=3·10¹⁸ см^-3 является термоэлектронная эмиссия. С увеличением концентрации нескомпенсированных акцепторов в твердом растворе до N_a-N_d~10¹⁹ см^-3 наблюдался переход от термоэлектронной эмиссии (при высоких температурах) к туннелированию (при низких температурах).

S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama. Japan. J. Appl. Phys., 34, Part 2, L797 (1995)
M. Asif Khah, J.N. Kuznia, A.R. Bhattarai, D.T. Olson. Appl. Phys. Lett., 62, 1786 (1993)
E.V. Kalinina, V.A. Soloviev, A.I. Babanin, M.A. Yagovkina, A.V. Shchukarev. The Second Conference on High Temp. Electronics (HITEN) (Manchester, 1997) p. 277
J.-S. Jang, I.-S. Chang, H.-K. Kim, T.-Y. Seong, S. Lee, S.-J. Park. Appl. Phys. Lett., 74, 70 (1999)
J.-S. Jang, T.-Y. Seong. Appl. Phys. Lett., 76 (19), 2743 (2000)
E.H. Rhoderick. Metal--Semiconductor Contacts (Claredon Press, Oxford, 1978)
A.Y.C. Yu. Sol. St. Electron., 13, 239 (1970)
J.D. Guo, C.I. Lin, M.S. Feng, F.M. Pan, G.C. Chi, T.C. Lee. Appl. Phys. Lett., 68 (2), 235 (1996)
G.K. Reeves. Sol. St. Electron., 23 (5), 487 (1980)
Properties of Advanced Semiconductor Materials, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (John /Wiley and Sons, 2000) v. 3
N.I. Kuznetsov, E.V. Kalinina, V.A. Soloviev, V.A. Dmitriev. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 395, 837 (1999)
K. Schiojima, T. Sugahara, S. Sakai. Appl. Phys. Lett., 74 (14), 1936 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель