Лазерная эпитаксия гетероструктур HgCdTe/Si
Пляцко С.В.1, Бергуш Н.Н.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 26 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
Методом лазерного осаждения были получены тонкие пленки HgCdTe на подложках из Si при температуре роста =<sssim 190oC. Результаты оже-спектроскопии, оптических и электрофизических исследований показали большую зависимость качества осаждаемых пленок от типа источника и качества подложек Si.
- А.М. Таськов, И.М. Малинский, Д.Г. Родионов, А.Е. Гукайло. ЖАХ, 45 (5), 1001 (1990)
- J.T. Cheung, D.T. Cheung. J. Vac. Sci. Technol., 21 (1), 182 (1982)
- J.T. Cheung, H. Sankur. Sol. St. Mater. Sci., 15 (1), 63 (1988)
- J.M. Wrobel, J.J. Dubowski. Appl. Phys. Lett., 55 (5), 469 (1989)
- J.J. Dubowski, A.P. Roth, E. Teleporte, G. Peter, Z.C. Feng, S. Perkowitz. J. Cryst. Growth, 117, 862 (1992)
- С.В. Пляцко. ФТП, 32, 257 (1997)
- R. Sporken, M.D. Lange, S. Sivananthan, J.T. Faurie. Appl. Phys. Lett., 59 (1), 81 (1991)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН, 168 (10), 1083 (1998)
- J.T. Cheung, J. Madden. J. Vac. Sci. Technol. B, 5 (3), 705 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук