Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эффект усиления контраста передачи изображения при взаимодействии ультрафиолетового излучения с пленками неорганических фоторезистов
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 22 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.
Теоретически исследовано фотохимическое преобразование тонких пленок неорганических фоторезистов под действием ультрафиолетового излучения эксимерного лазера. Показано, что, оптимизировав интенсивность излучения и дозу облучения, можно достичь сужения переходной области между засвеченными и незасвеченными участками, что приводит к улучшению качества изображения при фотолитографии.
- Г.Н. Березин, А.В. Никитин, Р.А. Сурис. Оптические основы контактной литографии (М., Радио и связь, 1982)
- H. I. Smith. J. Vac. Sci. Technol. B, 6 (1), 346 (1988)
- Е.Г. Бараш, А.Ю. Кабин, В.М. Любин, Р.П. Сейсян. ЖТФ, 62 (3), 106 (1994)
- Л.Г. Гладышева, Н.А. Калитеевская, Р.П. Сейсян, Д.В. Смирнов. Письма ЖТФ, 22, (15), 91 (1996)
- Н.А. Калитеевская, Р.П. Сейсян. ФТП, 34 (7), 857 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
