Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотолюминесценция комплексов CuGaTeAs и CuGaSnGa в n-GaAs при резонансном поляризованном возбуждении
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 17 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.
Исследована при 77 K фотолюминесценция образцов GaAs:Te:Cu и GaAs:Su:Cu n-типа с концентрацией электронов ~ 1018 см-3. В спектре фотолюминесценции при межзонном возбуждении доминировала широкая полоса с максимумом при энергии фотонов 1.30 эВ (GaAs:Te:Cu) или 1.27 эВ (GaAs:Sn:Cu), вызванная рекомбинацией электронов с дырками, локализованными на комплексах CuGaTeAs или CuGaSnGa. Обнаружено, что длинноволновый край спектра возбуждения этой фотолюминесценции при энергиях фотонов менее ~1.4 эВ определяется оптическим выбросом электронов с комплексов в зону проводимости или на мелкое возбужденное состояние. Значения поляризации фотолюминесцении при возбуждении поляризованным светом из этой спектральной области приводят к заключению, что исследованные комплексы не имеют дополнительных дисторсий, вызванных взаимодействием дырки, связанной на комплексе в излучающем состоянии, с локальными фононами низкой симметрии. Это отличает комплексы CuGaTeAs и CuGaSnGa от комплексов, содержащих вместо атомов Cu вакансию галлия (VGa). Такое различие отражает различную степень взаимодействия дырки, локализованной на орбитали изолированного глубокого акцептора в состоянии, соответствующем его состоянию в комплексе перед излучением (Cu-Ga и V2-Ga), с низкосимметричными колебаниями атомов. Возмущение орбиталей дырки, вносимое донором в комплексе, практически не изменяет это взаимодействие.
- Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 26, 1269 (1992)
- А.А. Гуткин, Т. Пиотровский, Е. Пулторак, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 32, 40 (1998)
- А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 33, 42 (1999)
- А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 34 (10), 1201 (2000)
- A.A. Gutkin, N.S. Averkiev, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. In: Defects in Semiconductors 18, ed. by M. Suezawa, H. Katayama-Yoshida (Mater. Sci. Forum., v. 196--201, pt 1, 1995) p. 231
- Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 30, 1123 (1996)
- H.J. Queisser, C.S. Fuller. J. Appl. Phys., 37, 4895 (1966)
- К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович, В.Е. Родионов. ФТП, 11, 35 (1977)
- Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, А.А. Исаков, Э.М. Магеррамов, В.Е. Седов. ФТП, 19, 893 (1985)
- М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Гос. науч.-техн. изд-во лит-ры по черной и цветной металлургии, 1962)
- А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 31, 1062 (1997)
- И.Я. Буянова, С.С. Остапенко, М.К. Шейнкман. ФТТ, 27, 748 (1985)
- Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Е. Седов, В.Р. Сосновский. ФТП, 25, 50 (1991)
- Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Е. Седов, В.Р. Сосновский. ФТП, 25, 58 (1991)
- Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, В.Е. Седов, Н.А. Смирнов, А.Ф. Цацульников. ФТП, 25, 1976 (1991)
- Т.К. Аширов, А.А. Гуткин. ФТП, 17, 418 (1983)
- Y.Q. Jia, H.J. von Bardeleben, D. Stievenard, C. Delerue. Phys. Rev. B, 45, 1645 (1992)
- Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков. ФТП, 33, 1323 (1999).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
