Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффект расширения в зону сечения захвата электрона ловушкой с дискретным энергетическим уровнем в кристаллах gamma-La₂S₃

Зобов Е.М.¹, Ризаханов М.А.¹

¹Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Поступила в редакцию: 28 апреля 2000 г.

Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

PDF версия

На примере электронной ловушки с дискретным уровнем E_c-0.2 эВ в кристаллах gamma-La₂S₃ представлены измеренные методом термостимулированной люминесценции данные о новом явлении - расширении в зону сечения захвата электрона. Величина эффекта достигает 4-х порядков (10^-23-10^-19 см²). Предложена модель, согласно которой электронная ловушка E_c-0.2 эВ представляет собой донор в составе донорно-акцепторых пар, распределенных по межатомному расстоянию и локализованных в области отрицательно заряженной дислокации. Расширение в зону сечения захвата электрона - результат разброса величины его модуляции в точках с различными значениями потенциала электрического поля дислокации.

С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1962)
М.А. Ризаханов, Ф.С. Габибов. ФТП, 13, 1324 (1979)
М.А. Ризаханов, Ю.Н. Эмиров, Н.А. Абилова. ФТП, 14, 1665 (1980)
М.А. Ризаханов, Е.М. Зобов. ФТП, 14, 2407 (1980)
М.А. Ризаханов. ФТП, 16, 699 (1982)
М.А. Ризаханов. Автореф. докт. дис. (Вильнюс, 1982)
М.А. Ризаханов, М.М. Хамидов. Письма ЖТФ, 11 (9), 561 (1985)
Е.М. Зобов, Г.Г. Гарягдыев, М.А. Ризаханов. ФТП, 21, 1637 (1987)
Ф.С. Габибов, Е.М. Зобов, Г.Г. Гарягдыев, Ю.Н. Эмиров, М.А. Ризаханов. В сб.: Фотоэлектроника (Киев--Одесса, Вища шк., 1987) N 1, с. 54
G. Ascarelli, S. Rodrigues. Phys. Rev., 124, 1321 (1961)
М.А. Ризаханов, М.М. Хамидов. ФТП, 27, 721 (1993)
K.H. Nicholas, T. Woods. Brit. J. Appl. Phys., 5, 783 (1964)
A.G. Zhdan, V.B. Sandomirskij, A.D. Ozheredov. Sol. St. Electron., 11, 783 (1968)
В.П. Мушинский, В.П. Амброс. Изв. вузов. Физика, N 4, 135 (1972)
В.М. Лупин, П.Е. Рамазанов. Изв. вузов. Физика, N 6, 142 (1976)
В.Я. Кунин, А.Н. Цикин, Н.Л. Штурбина. ФТТ, 15, 3417 (1973)
А.Н. Георгобиани, В.И. Демин, Е.С. Логозинская. Тр. физ. ин-та им. Н.П. Лебедева РАН, 182, 69 (1987)
В.В. Антонов-Романовский. Изв. АН СССР. Сер. физ., 10, 477 (1946)
G.F.T. Garlic, A.F. Gibson. Proc. Phys. Soc., A60 (342), 574 (1948)
М.А. Ризаханов. Изв. вузов. Физика, N 1, 153 (1971)
М.А. Ризаханов. Электронно-кислородные квазичастицы в белках. Электронно-атомные теории первичных фотобиологических явлений (Махачкала, Бари, 1998)
Ч.Б. Лущик. Исследование центров захвата в щелочно-галоидных кристаллофосфорах (Тарту, 1955)
С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниковых структурах (Ульяновск, УлГУ, 1997)
М.А. Ризаханов. ФТТ, 31, 193 (1989)
Е.М. Зобов, В.В. Соколов, А.Х. Шарапудинова, С.М. Лугуев. ФТТ, 35, 636 (1993)
М.А. Ризаханов. ФТП, 9, 2002 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель