Вышедшие номера
Влияние упругих полей ростовых дефектов на фотодиэлектрический отклик кристаллов Cd1-xZnxTe
Клименко И.А.1, Комарь В.К.2, Мигаль В.П.1, Наливайко Д.П.2
1Государственный аэрокосмический университет "ХАИ", Харьков, Украина
2НТК "Институт монокристаллов" Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 13 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

Показано, что диаграммы диэлектрической проницаемости varepsilon*(lambda), полученные на кристаллах Cd1-xZnxTe, выращенных из расплава, обладают рядом особенностей, которые не наблюдались на других кристаллах AIIBVI. Установлена связь этих особенностей с разнообразием ростовых дефектов и с существенным влиянием их упругих и электрических полей на фотодиэлектрические свойства.
  1. Ю.А. Загоруйко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль, О.Н. Чугай. ФТП, 29 (6), 1065 (1995)
  2. Ю.А. Загоруйко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль, О.Н. Чугай. Функцион. материалы, 1 (2), 135 (1994)
  3. V. Komar, A. Gektin, D. Nalivaiko, I. Klimenko, V. Migal, O. Panchuk, A. Rybka. 11th Int. Workshop on Room Temperature Semiconductor X- and Gamma-Ray Detectors and Associated Electronics (Vienna, 1999) p. 8
  4. В.П. Мигаль, А.Л. Рвачев, О.Н. Чугай. ФТП, 19 (8), 1517 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.