Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.
[!t] [width=]arut.eps В августе 2000 года исполнилось 60 лет известному ученому в области физики и техники полупроводников, действительному члену Национальной академии наук Армении, заведующему кафедрой физики полупроводников и диэлектриков Ереванского государственного университета, профессору Владимиру Михайловичу Арутюняну. Вся его научная и научно-организаторская деятельность неразрывно связана с зарождением и развитием в Армении физики полупроводников и полупроводниковой микроэлектроники. Он - автор ряда монографий и обзорных статей. Им разработана обобщенная теория генерационно-рекомбинационных и инжекционных явлений в полупроводниковых структурах со сложной зонной структурой, были предложены новые механизмы формирования участков отрицательного дифференциального сопротивления S-типа и ряда других аномальных эффектов в условиях двойной инжекции и ударной ионизации. Значительный вклад внесен В.М. Арутюняном в теорию сильнополевых и концентрационных явлений в таких приборах СВЧ диапазона, как диоды Ганна и инжекционно-пролетные диоды. Вместе с коллегами и учениками им выполнены большие циклы экспериментальных и теоретических работ по физике компенсированных, варизонных, магнито- и ионно-чувствительных полупроводников, фотоприемников ультрафиолетового и инфракрасного диапазонов (в том числе с внутренним усилением), солнечных элементов, сверхпроводящих систем, пористого кремния и т. д. Предложены новые приборы, технологические методы и устройства, защищенные авторскими свидетельствами СССР, патентами США и РФ. Крупный вклад внесен В.М. Арутюняном в решение проблемы фотоэлектрохимического преобразования солнечной энергии, в физику процессов на границах раздела полупроводник-электролит и полупроводник-газ. Многие работы с его участием продолжают выполняться совместно с учеными России, США, Германии, Франции, Швеции. Благодаря плодотворной деятельности В.М. Арутюняна кафедра вместе с научно-исследовательской лабораторией физики полупроводников Ереванского университета стала одним из крупных научных центров. Профессор В.М. Арутюнян уделяет большое внимание подготовке научных кадров. Среди его учеников много докторов и кандидатов наук. Он - главный редактор журнала "Известия НАН Армении. Физика", английская версия которого издается в США. Свой юбилей В.М. Арутюнян встречает в расцвете сил. Поздравляя В.М. Арутяняна с 60-летним юбилеем, его коллеги и друзья желают ему творческого долголетия, научных успехов и достижений в благородном деле подготовки научных кадров. Коллеги, друзья и коллектив редколлегии журнала
- Н.И. Гольбрайх, А.Ф. Плотников, В.Э. Шубин, Квант. электрон., 2, 2624 (1975)
- S.V. Bogdanov, A.B. Kravchenko, A.F. Plotnikov, V.E. Shubin. Phys. St. Sol. (a), 93, 361 (1986)
- Т.М. Бурбаев, В.В. Кравченко, В.А. Курбатов, В.Э. Шубин. КСФ ФИАН, N 4, 19 (1990)
- А.Г. Гасанов, В.М. Головин, З.Я. Садыгов, Н.Ю. Юсипов. Письма ЖТФ, 14, 706 (1988)
- Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов. КСФ ФИАН, N 11--12, 38 (1994)
- А.П. Болтаев, Т.М. Бурбаев, Г.А. Калюжная, В.А. Курбатов, Т.И. Осина, Н.Н. Соловьев. ФТП, 29, 1220 (1995)
- З.Я. Садыгов. Патент России N 2086047 от 30.05.1996
- N. Bacchetta, D. Bisello, Z. Sadygov et al. Nucl. Instr. a Meth. in Phys. Res. (A), 387, N 1--2, 225 (1997)
- З.Я. Садыгов, М.К. Сулейманов, Т.Ю. Бокова. Письма ЖТФ, 26, вып. 7, 75 (2000)
- R. McIntyre. J. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-13, N 1, 164 (1966)
- R.B. Emmons. J. Appl. Phys., 38, 3705 (1967)
- T. Kaneda et al. J. Appl. Phys., 47, 4960 (1976)
- T.M. Бурбаев, В.А. Курбатов. Н.Е. Курочкин, В.А. Холоднов. ФТП, 34, 1010 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук