"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Плотность мощности оптической деградации зеркал InGaAs/AlGaAs/GaAs-лазерных диодов
Котельников Е.Ю.1, Кацнельсон А.А.1, Кудряшов И.В.1, Растегаева М.Г.1, Рихтер В.2, Евтихиев В.П.1, Тарасов И.С.1, Алферов Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Friederich-Shiller University, Jena, Germany
Поступила в редакцию: 11 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии изготовлены двойные лазерные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs раздельного ограничения с квантовой ямой. Изучение характеристик лазерных диодов с широким контактом (100 мкм) показало, что мощность катастрофической деградации зеркал может достигать практически тех же рекордных значений (20 MBт/см2), которые были получены ранее только для лазерных диодов на основе гетероструктур InGaAsP/GaAs.
  1. D. Botez. Appl. Phys. Lett., 74, 3102 (1999)
  2. В.П. Евтихиев, Е.Ю. Котельников, И.В. Кудряшов, В.Е. Токранов, Н.Н. Фалеев. ФТП, 33, 634 (1999)
  3. A.Al. Muhanna, L.J. Mawst, D. Botez, D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, J.C. Connoly. Appl. Phys. Lett., 71, 1182 (1997)
  4. X. He, S. Srinivasan, S. Wilson, C. Mitchel, R. Patel. Electron. Lett., 34, 2126 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.