"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотосопротивление Si / Ge / Si-структур с квантовыми точками германия
Шегай О.А.1, Журавлев К.С.1, Марков В.А.1, Никифоров А.И.1, Пчеляков О.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 27 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

При T=4.2 K обнаружено экспоненциальное уменьшение сопротивления Si / Ge / Si-структур, содержащих квантовые точки германия, с ростом интенсивности межзонного света. В упругонапряженных структурах наблюдаются два различных экспоненциальных участка в зависимости сопротивления структур от интенсивности света, а в ненапряженных структурах --- один. Полученные экспериментальные результаты объяснены в рамках модели прыжковой проводимости неравновесных электронов, которые в напряженных структурах локализованы на квантовых точках и в областях между ними, а в ненапряженных структурах локализованы только между квантовыми точками.
  • Y.-W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 65, 1020 (1990)
  • R. Notzel. Semicond. Sci. Technol., 11, 1365 (1996)
  • A.I. Yakimov, V.A. Markov, A.V. Dvurechenskii, O.P. Pchelyakov. J. Phys.: Condens. Matter., 6, 2574 (1994)
  • G. Abstreiter, P. Schittenhelm, C. Engel, E. Silveira, A. Zrenner, D. Meertens, W. Jager. Semicond. Sci. Technol., 11, 1521 (1996)
  • А.Б. Талочкин, В.А. Марков, С.П. Супрун, А.И. Никифоров. Письма ЖЭТФ, 64, 203 (1996)
  • V.A. Markov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov. J. Cryst. Growth, 175 / 176, 736 (1997)
  • O.P. Pchelyakov, V.A. Markov, A.I. Nikiforov, L.V. Sokolov. J. Thin Sol. Films, 306, 299 (1997)
  • А.И. Якимов, В.А. Марков, А.В. Двуреченский, О.П. Пчеляков. Письма ЖЭТФ, 63, 423 (1996)
  • G. Capellini, L. Di Gaspare, F. Evangelisti, E. Palange. Appl. Phys. Lett., 70, 493 (1997)
  • Xun Wang, Zui-min Jiang, Hai-jun Zhu, Fang Lu, Daming Huang, Xiaohan Liu, Chang-wu Hu, Yifan Chen, Ziqiang Zhu, Takafumi Yao. Appl. Phys. Lett., 71, 3543 (1997)
  • H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 66, 3024 (1995)
  • D.J. Eaglesham, F.C. Unterwald, D.C. Jacobson. Phys. Rev. Lett., 70, 96 (1993)
  • H. Chen, W.G. Cheng, X.G. Xie, Q. Huang, J.M. Zhou. Appl. Phys. Lett., 70, 446 (1997)
  • В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин, Н.Г. Калугин, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, В.В. Постников, Х. Сейрингер. Письма ЖЭТФ, 67, 46 (1998)
  • R. Apetz, L. Vescan, A. Hartmann, C. Dieker, H. Luth. Appl. Phys. Lett., 66, 445 (1995)
  • S. Fukatsu, H. Sunamura, Y. Shiraki, S. Komiyama. Appl. Phys. Lett., 71, 258 (1997)
  • P.D. Persans, P.W. Deelman, K.L. Stokes, L.J. Schowalter, A. Byrne, T. Tundat. Appl. Phys. Lett., 70, 427 (1997)
  • A.D. Andreev, J.R. Downes, D.A. Faux, E.P. O'Reilly. J. Appl. Phys., 86, 297 (1999)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука. 1979)
  • С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.