"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотосопротивление Si / Ge / Si-структур с квантовыми точками германия
Шегай О.А.1, Журавлев К.С.1, Марков В.А.1, Никифоров А.И.1, Пчеляков О.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 27 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

При T=4.2 K обнаружено экспоненциальное уменьшение сопротивления Si / Ge / Si-структур, содержащих квантовые точки германия, с ростом интенсивности межзонного света. В упругонапряженных структурах наблюдаются два различных экспоненциальных участка в зависимости сопротивления структур от интенсивности света, а в ненапряженных структурах --- один. Полученные экспериментальные результаты объяснены в рамках модели прыжковой проводимости неравновесных электронов, которые в напряженных структурах локализованы на квантовых точках и в областях между ними, а в ненапряженных структурах локализованы только между квантовыми точками.
  1. Y.-W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 65, 1020 (1990)
  2. R. Notzel. Semicond. Sci. Technol., 11, 1365 (1996)
  3. A.I. Yakimov, V.A. Markov, A.V. Dvurechenskii, O.P. Pchelyakov. J. Phys.: Condens. Matter., 6, 2574 (1994)
  4. G. Abstreiter, P. Schittenhelm, C. Engel, E. Silveira, A. Zrenner, D. Meertens, W. Jager. Semicond. Sci. Technol., 11, 1521 (1996)
  5. А.Б. Талочкин, В.А. Марков, С.П. Супрун, А.И. Никифоров. Письма ЖЭТФ, 64, 203 (1996)
  6. V.A. Markov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov. J. Cryst. Growth, 175 / 176, 736 (1997)
  7. O.P. Pchelyakov, V.A. Markov, A.I. Nikiforov, L.V. Sokolov. J. Thin Sol. Films, 306, 299 (1997)
  8. А.И. Якимов, В.А. Марков, А.В. Двуреченский, О.П. Пчеляков. Письма ЖЭТФ, 63, 423 (1996)
  9. G. Capellini, L. Di Gaspare, F. Evangelisti, E. Palange. Appl. Phys. Lett., 70, 493 (1997)
  10. Xun Wang, Zui-min Jiang, Hai-jun Zhu, Fang Lu, Daming Huang, Xiaohan Liu, Chang-wu Hu, Yifan Chen, Ziqiang Zhu, Takafumi Yao. Appl. Phys. Lett., 71, 3543 (1997)
  11. H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 66, 3024 (1995)
  12. D.J. Eaglesham, F.C. Unterwald, D.C. Jacobson. Phys. Rev. Lett., 70, 96 (1993)
  13. H. Chen, W.G. Cheng, X.G. Xie, Q. Huang, J.M. Zhou. Appl. Phys. Lett., 70, 446 (1997)
  14. В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин, Н.Г. Калугин, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, В.В. Постников, Х. Сейрингер. Письма ЖЭТФ, 67, 46 (1998)
  15. R. Apetz, L. Vescan, A. Hartmann, C. Dieker, H. Luth. Appl. Phys. Lett., 66, 445 (1995)
  16. S. Fukatsu, H. Sunamura, Y. Shiraki, S. Komiyama. Appl. Phys. Lett., 71, 258 (1997)
  17. P.D. Persans, P.W. Deelman, K.L. Stokes, L.J. Schowalter, A. Byrne, T. Tundat. Appl. Phys. Lett., 70, 427 (1997)
  18. A.D. Andreev, J.R. Downes, D.A. Faux, E.P. O'Reilly. J. Appl. Phys., 86, 297 (1999)
  19. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука. 1979)
  20. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.