"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Магнитооптические исследования висмута при температуре 80--280 K
Грабов В.М.1, Иванов К.Г.2, Зайцев А.А.3
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет технологии и дизайна, Санкт-Петербург, Россия
3Елецкий государственный педагогический институт, Елец, Россия
Поступила в редакцию: 17 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

В образцах, представляющих собой две разделенные зазором симметричные половинки монокристалла висмута, измерен коэффициент пропускания инфракрасного излучения (lambda=10.6 мкм) в зависимости от индукции импульсного магнитного поля. Осцилляции, связанные с межзонными переходами на уровнях Ландау, наблюдались в интервале температур от 80 до 280 K. Определены температурные зависимости ширины запрещенной зоны, эффективных масс и времени релаксации носителей заряда.
  • К.Г. Иванов, О.В. Кондаков, С.В. Бровко, А.А. Зайцев. ФТП, 30, 1585 (1996)
  • С.В. Бровко, А.А. Зайцев, К.Г. Иванов, О.В. Кондаков. ФТП, 31, 416 (1997)
  • R.N. Brown, J.G. Mavroides, B. Lax. Phys. Rev., 129, 2051 (1963)
  • M.P. Vecchi, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 10, 771 (1974)
  • M.P. Vecchi, J.R. Pereira, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 14, 298 (1976)
  • E.E. Mendez, A. Misu, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 24, 639 (1981)
  • Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводниковых материалов в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS (М., Наука, 1968)
  • F.E. Macfarlane. J. Phys. Chem. Sol., 32, Suppl. N1, 989 (1971)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.