"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Внутренние микронапряжения, распределение состава и катодолюминесценции по шлифу эпитаксиальных слоев AlxGa1-xN на сапфире
Усиков А.С.1, Третьяков В.В.1, Бобыль А.В.1, Кютт Р.Н.1, Лундин В.В.1, Пушный Б.В.1, Шмидт Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

Проведено исследование структурных свойств и пространственных неоднородностей слоев AlxGa1-xN, выращенных на сапфировых подложках (0001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Обнаружено неравномерное распределение Al по толщине эпитаксиальных слоев, полученных при постоянных потоках ростовых компонент. На основе данных рентгенодифракционного анализа и катодолюминесценции предложена модель формирования слоев с композиционным профилем. Установлено, что однородные образцы удается получить путем увеличения потока триметилалюминия на начальной стадии роста слоя относительно всего последующего процесса роста. Показано, что снижение скорости роста позволяет уменьшить напряжения в эпитаксиальном AlxGa1-xN-слое. Обсуждается влияние напряжений на люминесцентные свойства выращенных слоев.
  1. F. Omnes, N. Marenco, B. Beaumot, Ph. de Mierry, E. Monroy, F. Calle, E. Munoz. J. Appl. Phys., 86, 5286 (1999)
  2. I. Akasaki, H. Amano. Jap. J. Appl. Phys., 36, 5393 (1997)
  3. I.L. Krestnikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, A.F. Tsatsulnikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Phys. St. Sol. (b), 216, 511 (1999)
  4. T.J. Kistenmacher, D.K. Wickenden, M.E. Hawley, R.P. Leavitt. Appl. Phys. Lett., 67, 377(1995)
  5. A.V. Polyakov, A.V. Govorkov, N.B. Smirnov, M.G. Milvidskii, J.M. Redwig, M. Shin, M. Skowronski, D.W. Greve. Sol. St. Electron., 42, 637 (1998)
  6. A.V. Polyakov, M. Shin, J.A. Freitas, M. Skowronski, D.W. Greve, R.G. Wilson. J. Appl. Phys., 80, 6349 (1996)
  7. C.G. Van de Walle, C. Stampfl, J. Neugebauer, M.D. McCluskey, N.M. Johnson. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4S1, G10.4 (1999)
  8. H. Angerer, D. Brunner, F. Freudenberg, O. Ambacher, M. Stutzman, R. Hopler, T. Metzger, E. Born, G. Dollinger, A. Bergmaier, S. Karsch, H.J. Korner. Appl. Phys. Lett., 71, 1504 (1997)
  9. А.С. Зубрилов, Д.В. Цветков, В.И. Николаев, И.П. Никитина. ФТП, 30, 2051 (1996)
  10. А.М. Царегородцев, А.Н. Ефимов. Письма ЖТФ, 22, 86 (1996)
  11. G. Steude, T. Christmann, B.K. Meyer, A. Goeldner, A. Hoffmann, F. Bertram, J. Christen, H. Amano, I. Akasaki. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4S1, G3.26 (1999)
  12. T.G. Mihopoulos, V. Gupta, K.F. Jensen. J. Cryst. Growth., 195, 733 (1998)
  13. S. Ruffenach-Clur, O. Briot, B. Gil, R.-L. Aulombard. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 2, article 27 (1997)
  14. F. Nukamura, S. Hashimoto, M. Hara, S. Imanaga, M. Ikeda, H. Kawai. J. Cryst. Growth., 195, 280 (1998)
  15. J. Christen, T. Hempel, F. Bertram, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A.V. Sakharov, M.V. Maximov, A.S. Usikov, W.V. Lundin, B.V. Pushnyi, Zh.I. Alferov. Physica E, 2, 557 (1998)
  16. D. Kapolnek, X.H. Wu, B. Heying, S. Keller, U.K. Mishra, S.P. den Baars, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 67, 1541 (1995)
  17. A.V. Bobyl, R.N. Kyutt, V.V. Tretyakov. Semicond. Sci. Technol., 14, 589 (1999)
  18. A. Usikov, V.V. Ratnikov, R. Kyutt, W.V. Lundin, B. Pushnyi, N.M. Shmidt, M.P. Scheglov. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 3, 42 (1998)
  19. W.V. Lundin, A.S. Usikov, B.V. Pushnyi, U.I. Ushakov, M. Stepanov, N.M. Shmidt, T.V. Shubina, A.V. Sakharov, N.N. Faleev, V.A. Solov'ev, A.A. Sitnikova, Yu. Kudriavtsev, B. Ya. Ber, Yu.M. Zadiranov. Proc. 7-=SUP=-th-=/SUP=- Int. Conf. on Silicon Carbide, III-nitrides and Related Materials-97 (Stockholm, Sweden, 1997) pt. 2, p. 1315
  20. K. Hiramatsu, Y. Kawaguchi, M. Shimizu, N. Sawaki, T. Zheleva, R.F. Davis, H. Tsuba, W. Taki, N. Kuwano, K. Oki. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 2, article 6 (1997)
  21. I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu, N. Sawaki. J. Cryst. Growth., 98, 209 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.