"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Начальные стадии преципитации кислорода в кремнии: влияние водорода
Маркевич В.П.1, Мурин Л.И.1, Lindstrom J.L.2, Suezawa M.3
1Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2Lund University, Department of Solid State Physics, S-221 00 Lund, Sweden
3Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 98, Japan
Поступила в редакцию: 6 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Исследован процесс образования малых кислородных кластеров при температурах T=280-375oC в кристаллическом кремнии, легированном водородом путем высокотемпературной диффузии. Установлено, что присутствие водорода в концентрациях 1015-1016 см-3 приводит к существенному возрастанию (до 106 раз при T=< 300oC) коэффициента диффузии кислорода в кристаллах Si. Обсуждаются возможные механизмы взаимодействия примесных атомов O и H и причины ускоренной водородом диффузии кислорода в кремнии.
  • Oxygen in Silicon, ed. by F. Shimura [Semiconductors and Semimetals (Academic, London, 1994) v. 42]
  • Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon, ed. by R. Jones (Kluwer Academic, Dordrecht, 1996) [NATO ASI Ser., 3. High Technology, v. 17]
  • A.R. Brown, M. Clayborn, R. Murray, P.S. Nandhra, R.C. Newman, J.H. Tucker. Semicond. Sci. Technol., 3, 591 (1988)
  • R.C. Newman, J.H. Tucker, A.R. Brown, S.A. McQuaid. J. Appl. Phys., 70, 3061 (1991)
  • S.A. McQuaid, M.J. Binns, C.A. Londos, J.H. Tucker, A.R. Brown, R.C. Newman. J. Appl. Phys., 77, 1427 (1995)
  • H.J. Stein, S. Hahn. Appl. Phys. Lett., 56, 63 (1990)
  • H.J. Stein, S. Hahn. J. Appl. Phys., 75, 3477 (1994)
  • A. Hara, M. Koizuka, M. Aoki, T. Fukuda, H. Yamada-Kaneta, H. Mori. Japan. J. Appl. Phys., 33, 5577 (1994)
  • В.П. Маркевич, Л.И. Мурин, А.Г. Литвинко. Письма ЖТФ, 19 (19), 39 (1993)
  • В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 30, 265 (1996)
  • S.K. Estreicher. Phys. Rev. B, 41, 9886 (1990)
  • R. Jones, S. Oberg, A. Umerski. Mater. Sci. Forum, 83--87, 551 (1992)
  • M. Ramamoorthy, S.T. Pantelides. In: Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon, ed. by R. Jones (Kluwer Academic, Dordrecht, 1996) [NATO ASI Ser., 3. High Technology, v. 17. p. 197]
  • M. Ramamoorthy, S.T. Pantelides. Sol. St. Commun., 106, 243 (1998)
  • B. Bech Nielsen, K. Tanderup, M. Budde, K.B. Nielsen, J.L. Lindstrom, R. Jones, S. Oberg, B. Hourahine, P. Briddon. Mater. Sci. Forum, 258--263, 391 (1997)
  • L.I. Murin, T. Hallberg, V.P. Markevich, J.L. Lindstrom. Phys. Rev. Lett., 80, 93 (1998)
  • T. Hallberg, J.L. Lindstrom, L.I. Murin, V.P. Markevich. Mater. Sci. Forum, 258--263, 361 (1997)
  • S. Oberg, C.P. Ewels, R. Jones, T. Hallberg, J.L. Lindstrom, L.I. Murin, P.R. Briddon. Phys. Rev. Lett., 81, 2930 (1998)
  • J.L. Lindstrom, T. Hallberg. J. Appl. Phys., 77, 2684 (1995)
  • T. Hallberg, J.L. Lindstrom. J. Appl. Phys., 79, 7550 (1996)
  • R.E. Pritchard, M.J. Ashwin, R.C. Newman, J.H. Tucker, E.C. Lightowlers, M.J. Binns, S.A. McQuaid, R. Falster. Phys. Rev. B, 56, 13 118 (1997)
  • V.P. Markevich, M. Suezawa. J. Appl. Phys., 83, 2988 (1998)
  • V.P. Markevich, M. Suezawa, L.I. Murin. Mater. Sci. Eng. B, 58, 26 (1999)
  • R.E. Pritchard, M.J. Ashwin, J.H. Tucker, R.C. Newman. Phys. Rev. B, 57, R15048 (1998)
  • A. Baghdadi, W.M. Bullis, M.C. Croarkin, Y. Li, R.I. Sease, R.W. Series, P. Stallhofer, M. Watanabe. J. Electrochem. Soc., 136, 2015 (1989)
  • M. Pesola, J. Von Boehm, R.M. Nieminen. Phys. Rev. Lett., 82, 4022 (1999)
  • L.I. Murin, V.P. Markevich. In: Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon, ed. by R. Jones (Kluwer Academic, Dordrecht, 1996) [NATO ASI Ser., 3. High Technology, v. 17. p. 329]
  • B. Pajot. In: Oxygen in Silicon, ed. by F. Shimura [Semiconductors and Semimetals (Academic, London, 1994) v. 42. chap. 6]
  • P. Wagner, J. Hage. Appl. Phys. A, 49, 123 (1989)
  • V.P. Markevich, M. Suezawa, K. Sumino. Mater. Sci. Forum, 196--201, 915 (1995)
  • B. Hourahine, R. Jones, S. Oberg, P.R. Briddon. Mater. Sci. Forum, 258--263, 277 (1997)
  • R.C. Newman. In: Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon, ed. by R. Jones (Kluwer Academic, Dordrecht, 1996) [NATO ASI Ser., 3. High Technology, v. 17. p. 19]
  • C. Herring, N.M. Johnson. In: Hydrogen in Semiconductors, ed. by J.I. Pankove and N.M. Johnson [Semiconductors and Semimetals (Academic, San Diego, 1991) v. 34, chap. 10]
  • A. Van Wieringen, N. Warmholtz. Physica (Amsterdam), 22, 849 (1956)
  • Yu.V. Gorelkinskii, N.N. Nevinnyi. Mater. Sci. Eng. B, 36, 133 (1996)
  • S.A. McQuaid, R.C. Newman, E.C. Lightowlers. Semicond. Sci. Technol., 9, 1730 (1994)
  • M.W. Qi, G.R. Bai, T.S. Shi, L.M. Xie. Mater. Lett., 3, 467 (1985)
  • B. Pajot, B. Clerjaud, Z.-J. Xu. Phys. Rev. B, 59, 7500 (1999)
  • N. Fukata, M. Suezawa. J. Appl. Phys., 86, 1848 (1999)
  • S.J. Pearton, J.W. Corbett, M. Stavola. Hydrogen in Crystalline Semiconductors [Springer Ser. Mater. Sci., 16 (Springer, Berlin, 1992)]
  • S.Zh. Tokmoldin, B.N. Mukashev, Kh.A. Abdulin, Yu.V. Gorelkinskii. Physica B: Condens. Matter, 273--274, 204 (1999).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.