"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Действие облучения и последующего отжига на нанокристаллы Si, сформированные в слоях SiO2
Качурин Г.А.1, Яновская С.Г.1, Ruault M.-O.2, Гутаковский А.К.1, Журавлев К.С.1, Kaitasov O.2, Bernas H.2
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2CSNSM-CNRS / IN2P3, Orsay, France
Поступила в редакцию: 1 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

Люминесцирующие нанокристалллы Si, сформированные в слоях SiO2, облучали электронами и ионами He+ с энергиями 400 и 25/1 30 кэВ соответственно. Действие облучения и последующих отжигов 600/ 1000o C исследованы методами фотолюминесценции и электронной микроскопии. После малых доз (~1 смещение / нанокристалл) обнаружены гашение фотолюминесценции нанокристаллов, но одновременно рост их числа. После больших доз (~103 смещений / нанокристалл) наблюдалась аморфизация, что не характерно для объемного Si. Обнаруженные явления объяснены генерацией точечных дефектов и их захватом границами Si--SiO2. Фотолюминесценция нанокристаллов восстанавливается при температурах менее 800oC, однако для кристаллизации преципитатов требуется около 1000oC. Наблюдавшееся после отжига усиление фотолюминесценции объясняется суммированием интенсивностей фотолюминесценции от исходных нанокристаллов и от возникших вследствие облучения.
  • L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  • L.Wang, C. Lin, P. Liu, Z. Zhou, S. Zou. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 316, 445 (1994)
  • X.-M. Bao, H.-O. Yang, F. Yan. J. Appl. Phys., 79, 1320 (1996)
  • X.-M. Bao, H.-Q. Yang. Appl. Phys. Lett., 63, 2246 (1993)
  • J.S. Barbour, D. Dimos, T.R. Guillinger, M.J. Kelly, S.S. Tsao. Appl. Phys. Lett., 59, 2088. (1991)
  • B.R. Mehta, M.K. Sahay, L.K. Malhotra, D.K. Avasthi, R.K. Soni. Thin. Sol. Films, 289, 95 (1996)
  • S. Tanaka, H. Koyama, N. Koshida. Appl. Phys. Lett., 73, 2334 (1998)
  • R.R. Kunz, P.M. Nitishin, H.R. Clark, M. Rothschild, B. Ahem. Appl. Phys. Lett., 67, 1766. (1995)
  • Е.В. Астрова, В.В. Емцев, А.А. Лебедев, Д.И. Полоскин, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь, В.Е. Харциев. ФТП, 29, 1301 (1995)
  • А.А. Лебедев, А.М. Иванов, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 188 (1996)
  • J.-L. Maurice, A. Riviere, A. Alapini, C. Levy-Clement. Appl. Phys. Lett., 66, 1665 (1995)
  • Y.M. Huang. Appl. Phys. Lett., 71, 3850 (1997)
  • J.S. Fu, J.C. Mao, E. Wu, Y.Q. Jia, B.R. Zhang, L.Z. Zhang, G.G. Qin, G.S. Wui, Y.H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 63, 1830 (1993)
  • T.M. Bhave, S.V. Bhoraskar, P. Singh, V.N. Bhoraskar. Nucl. Instrum. Meth. B, 132, 409 (1997)
  • В.В. Ушаков, В.А. Дравин, Н.Н. Мельник, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимашенко. ФТП, 31, 1126 (1997)
  • T. Shimizu-Iwayama, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, R. Fujita, N. Itoh. J. Appl. Phys., 75, 7779 (1994)
  • P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys., Lett., 66, 851 (1995)
  • G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, A.F. Leier, W. Scorupa, R.A. Yankov. Nucl. Instrum. Meth. B, 122, 571 (1997)
  • G.A. Kachurin, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, A.F. Leier, I.E. Tysсhenko, V.A. Volodin, W. Scorupa, R.A. Yankov. Nucl. Instrum. Meth. B, 127 / 128, 583 (1997)
  • Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко, В. Скорупа, Р.А. Янков, К.С. Журавлев, Н.А. Паздников, В.А. Володин, А.К. Гутаковский, А.Ф. Лейер. ФТП, 31, 730 (1997)
  • Г.А. Качурин, А.Ф. Лейер, К.С. Журавлев, И.Е. Тысченко, А.К. Гутаковский, В.А. Володин, В. Скорупа, Р.А. Янков. ФТП, 32, 1371 (1998)
  • T. Takamori, R. Messier, R. Roy. Appl. Phys. Lett., 20, 201 (1972)
  • A. Mineo, A. Matsuda, T. Kurosu, M. Kikuchi. Sol. St. Commun., 13, 329 (1973)
  • С.И. Романов, Л.С. Смирнов. ФТП, 10, 876 (1976)
  • H.A. Atwater, W.L. Brown. Appl. Phys. Lett., 56, 30 (1990)
  • L.-S. Liao, X.-M. Bao, N.-S. Li, X.-Q. Zhang, N.-B. Min. J. Luminesc., 68, 199 (1996)
  • Г.А. Качурин, Л. Реболе, В. Скорупа, Р.А. Янков, И.Е. Тысченко, Х. Фреб, Т. Беме, К. Лео. ФТП, 32, 439 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.