"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Cвойства гетеролазеров на основе InGaAsP/InP c широким мезаполосковым контактом
Голикова Е.Г.1, Курешов В.А.1, Лешко А.Ю.1, Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Рябоштан Ю.А.1, Скрынников Г.А.1, Тарасов И.С.1, Алферов Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 января 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

Методом МОС-гидридной эпитаксии получены лазеры на гетероструктурах InGaAsP/InP с широким мезаполосковым контактом, излучающие в диапазоне 1.3--1.5 мкм. Исследованы ватт-амперные и спектральные характеристики в импульсном и непрерывном режимах генерации в диапазоне температур 10-60oC. Определен перегрев активной области лазерного диода на 30-60oC относительно медного теплоотвода при насыщении мощности излучения в непрерывном режиме генерации. Установлено сильное влияние температурной зависимости дифференциальной квантовой эффективности на максимальную мощность в непрерывном режиме генерации гетеролазеров. В лазерах с мезаполосковым контактом шириной 100 мкм достигнута оптическая мощность излучения 3 и 2.6 Вт в непрерывном режиме генерации, 9 и 6.5 Вт --- в импульсном режиме генерации соответственно на длинах волн 1.3 и 1.5 мкм.
  • В.П. Евтихиев, Д.З. Гарбузов, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин, В.П. Чалый, А.В. Чудинов. ФТП, 19, 1420 (1985); Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, А.Б. Нивин, А.В. Овчинников, И.С. Тарасов. ФТП, 19, 456 (1985)
  • D.Z. Garbuzov, N.Yu. Antonishkis, A.D. Bondarev, A.B. Gulakov, S.N. Zhigulin, N.I. Katsavets, A.V. Kochergin, E.V. Rafailov. IEEE J. Quant. Electron., 27, 1531 (1991)
  • L.J. Mawst, A. Bhattacharya, J. Lopez, D. Botez, D.Z. Garbuzov, L. DeMarco, J.C. Connolly, M. Jansen, F. Fang, R.F. Nabiev. Appl. Phys. Lett., 69, 1532 (1996)
  • A. Al-Muhanna, L.J. Mawst, D. Botez, D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, J.C. Connolly. Appl. Phys. Lett., 73, 1182 (1998)
  • M.R. Gokhale, J.C. Dries, P.V. Studenkov, S.R. Forrest, D.Z. Garbuzov. IEEE J. Quant. Electron., 33, 2266 (1997)
  • A. Al-Muhanna, L.J. Mawst, D. Botez, D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, J.C. Connolly. Appl. Phys. Lett., 73, 1182 (1997)
  • S. Adachi. Physical Properties of 3--5 Semiconductor Compounds (John Wiley \& Sons Inc., 1992)
  • D. Botes. Appl. Phys. Lett., 74, 3102 (1999)
  • L.J. Mawst, A. Bhattacharya, M. Nesnidal, J. Lopez, D. Botez, J.A. Morris, P. Zory. Appl. Phys. Lett., 67, 2901 (1995)
  • И.С. Тарасов, Д.З. Гарбузов, В.П. Евтихиев, А.В. Овчинников, З.Н. Соколова, А.В. Чудинов. ФТП, 19, 1496 (1985)
  • H. Temkin, D. Coblentz, R.A. Logan, J.P. van der Zil, T. Tanbun-Ek, R.D. Yadvish, A.M. Sergent. Appl. Phys. Lett., 62 (19), 2402 (1993)
  • Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Н.Ю. Давидюк, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (6), 5 (2000)
  • Е.Г. Голикова, В.П. Дураев, С.А. Козиков, В.Г. Кригель, О.А. Лабутин, В.И. Швейкин. Квант. электрон., 22, 85 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.