Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фоточувствительность гетероконтактов a-Si : H / n-InSe

Николаев Ю.А.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.¹, Теруков Е.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 21 декабря 1999 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом приведения в прямой оптический контакт поверхности осажденных на подложки из кварцевого стекла тонких пленок аморфного гидрированного кремния с поверхностью естественного скола InSe впервые получены выпрямляющие фоточувствительные структуры. Исследованы спектральные зависимости квантовой эффективности полученных гетероконтактов и установлены перспективы использования нового гетероперехода a-Si : H / n-InSe в фотопреобразователях солнечного излучения.

Polycrystalline Semiconductors V--Bulk Materials, Thin Films and Devices, ed by J.H. Werner, H.P. Strunk, H.W. Schock (Scitec. Publ. Ltd., Uetikon--Zuerich, 1999)
Amorphous and Microcrystalline Semiconductor Devices. II--Materials and Devices Physics, ed. by J. Kamaki (Artech Hause, Boston--London, 1992)
W. Wang, K. Liao. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 70, 359 (1986)
R. DeRosa, M.L. Grilli, G. Sosikala, M. Tucci, F. Rocer. Sol. St. Phenomena, 67--68, 565 (1999)
B. Sang, K. Daiziki, A. Yamada, M. Kanagai. Japan. J. Appl. Phys., 38, 4983 (1999)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979)
I.V. Bodnar, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud'. Cryst. Res. Technol., 31, 261 (1996)
В.Ю. Рудь, В.Ф. Гременок, Ю.В. Рудь, И.В. Боднарь, Р.Н. Бекимбетов. ФТП, 33, 1205 (1999)
F. Adduci, M. Ferrara, P. Fantalino, A. Cingolani. Phys. St. Sol. (a), 15, 303 (1973).,
Н.М. Мехтиев, Ю.В. Рудь, Э.Ю. Салаев. ФТП, 12, 1566 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель