Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2000, выпуск 5 » Статья стр. 612
<<<>>>
Гетероструктуры с несколькими слоями InAs / InGaAs-квантовых точек для источников оптического излучения диапазона длин волн 1.3 мкм
Малеев Н.А.1, Жуков А.Е.1, Ковш А.Р.1, Михрин С.С.1, Устинов В.М.1, Бедарев Д.А.1, Воловик Б.В.1, Крестников И.Л.1, Каяндер И.Н.1, Одноблюдов В.А.1, Суворова А.А.1, Цацульников А.Ф.1, Шерняков Ю.М.1, Леденцов Н.Н.1, Копьев П.С.1, Алфёров Ж.И.1, Бимберг Д.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 1 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
PDF версия
Предложен способ получения гетероструктур с несколькими слоями InAs / InGaAs-квантовых точек методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs, обеспечивающий высокую интенсивность и малую ширину линии фотолюминесценции в диапазоне длин волн 1.3 мкм. Исследованы зависимости структурных и оптических свойств от режимов роста. Продемонстрированы потенциальные возможности разработанной технологии для создания поверхностно-излучающих приборов с вертикальными оптическими резонаторами.
  1. G.P. Agrawal, N.K. Dutta. Long Wavelength Semiconductor Lasers (N. Y., Van Nostrend Reinhold, 1986)
  2. K. Nakahara, M. Kondow, T. Kitatani, M.C. Larson, K. Uomi. IEEE Phot. Techn. Lett., 10, 487 (1998)
  3. K. Nishi, T. Anan, S.Sugou. IEEE / LEOS Summer Topical Meeting (San Diego, CA, USA, July 28--30, 1999) IEEE Catalog Number 99 TH8455, 39
  4. D. Huffaker, G. Park, Z. Zou, O.B. Shcekin, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 73, 2564 (1998)
  5. V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, A.Yu. Egorov, A.V. Lunev, B.V. Volovik, I.L. Krestnikov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 74, 2815 (1999)
  6. T.E. Sale. Vertical cavity surface emitting lasers (N. Y., J. Wiley \& Son Inc., 1995)
  7. F. Koyama, D. Schlenker, T. Miyamoto, Z. Chen, A. Matsutani, T.S. Sakaguchi, K. Iga. Electron. Lett., 35, 1079 (1999)
  8. J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
  9. J.C. Campbell, D.L. Huffaker, H. Deng, D.G. Deppe. Electron. Lett., 33, 1337 (1997)
  10. A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, Yu.M. Shernyakov, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, E.Yu. Kondrat'eva, D.A. Livshits, M.V. Maximov, B.V. Volovik, D.A. Bedarev, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. IEEE Photon. Technol. Lett., 11, 1345 (1999)
  11. А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, В.М. Устинов. ФТП, 33, 1395 (1999)
  12. D. Bimberg, N. Kirstaeder, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov, P.S. Kop'ev, V.M. Ustinov. J. Select. Top. Quant. Electron., 3, 196 (1997)
  13. N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, I.L. Krestnikov, A.V. Lunev, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Proc. Xth Eoropean workshop on MBE, Les Arcs, France, March 28-April 1, 1999 (Nanostructures, p. 2)
  14. Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, И.Л. Крестников, А.В. Лунев, А.В. Сахаров, Б.В. Воловик, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 33, 629 (1999)
  15. N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov, M.V. Maximov, Zh.I. Alferov, V.P. Kalosha, J.A. Lott. Semicond. Sci Technol., 14, 99 (1999)
  16. L.A. Graham, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 74, 2408 (1999)
  17. D.L. Huffaker, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 73, 520 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme