Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние электрически неактивных примесей на образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных эрбием
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
Исследовано влияние дополнительной имплантации электрически неактивных примесей углерода, кислорода, азота и фтора на образование донорных центров в кремнии, имплантированном эрбием. Показано, что дополнительная имплантация приводит к увеличению концентрации донорных центров, образующихся при отжигах. Изменение концентрации донорных центров зависит от типа вводимой примеси. Результаты указывают, что электрически неактивные примеси участвуют в образовании донорных центров.
- H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, A. Axmann. Appl. Phys. Lett., 43, 943 (1983)
- Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995)
- О.В. Александров, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, А.В. Меркулов. ФТП, 30, 876 (1996)
- J. Michel, L.V.C. Assali, M.T. Morse, L.C. Kimerling. Semiconductors and Semimetals (San Diego, Academic Press, 1998) v. 49, p. 111
- F. Priolo, S. Coffa, G. Franzo, C. Spinella, A. Carnera, V. Bellani. J. Appl. Phys., 74, 4936 (1993)
- J. Michel, J. Palm, X. Duan, E. Quellette, S.F. Nelson, S.H. Ahm, L.C. Kimerling. Mater. Sci. Forum. 258--263, 1485 (1997)
- P.N. Favennec, H.L. Haridon, D. Moutonnet, M. Salvi, M. Gauneau. Japan. J. Appl. Phys., 29, L524 (1990)
- J. Michel, J.L. Benton, R.F. Ferrante, D.S. Jacobson, D.S. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, J.M. Poate, L.C. Kimerling. J. Appl. Phys., 70, 2672 (1991)
- S. Libertino, S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. J. Appl. Phys., 78, 3867 (1995)
- N.A. Sobolev, O.V. Alexandrov, E.I. Shek. MRS Symp. Proc., 442, 237 (1997)
- О.В. Александров, А.О. Захарьин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин. ФТП, 32, 1029 (1998)
- Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Р.Н. Кютт, Ю.А. Николаев, Е.И. Шек, О.В. Александров, А.О. Захарьин, В.И. Вдовин, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин, А.Н. Якименко. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Нижний Новгород, 1999) с. 71
- Byoung-Bon Yu, N. Konuma, Eichi Arai. J. Appl. Phys., 70, 2408 (1991)
- J. Michel, J. Palm, F. Gan, F.Y.G. Ren, B. Zheng, S.T. Dunham, L.C. Kimerling. Mater. Sci. Forum. 196--201, 585 (1995)
- R.S. Hockett. Appl. Phys. Lett., 54, 1793 (1989)
- H. Koyama. J. Appl. Phys., 51, 3202 (1980)
- В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, Е.И. Теруков, М.М. Мездрогина. ФТП, 32, 708 (1998)
- V.V. Emtsev, V.V. Emtsev Jr., D.S. Poloskin, E.I. Shek, N.A. Sobolev. J. Luminesc., 80, 374 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
