"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Насыщение межзонного поглощения в полупроводниках
Меликян А.О.1, Минасян Г.Р.1
1Государственный инженерный университет, Ереван, Армения
Поступила в редакцию: 22 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

В рамках формализма матрицы плотности вычислены коэффициенты нелинейного поглощения волны накачки и пробной волны в прямозонном полупроводнике. Основная особенность расчета заключается в учете дисперсии носителей. Впервые показано, что закон дисперсии определяет характер насыщения коэффициента поглощения. Зависимость вычисленных коэффициентов поглощения от частоты и интенсивности сильно отличается от зависимостей, известных ранее. Показано также, что обычная теория межзонного нелинейного поглощения, основанная на кинетических уравнениях для носителей, приводит к правильным результатам только в пределе малых интенсивностей накачки.
  • M.N. Islam, E.P. Ippen, E.K. Burkhardt, T.J. Bridges. Appl. Phys. Lett., 47, 1042 (1985); J. Appl. Phys., 59, 2619 (1986)
  • H.A. MacKenzie, D.J. Hagan, H.A. Al-Attar. IEEE J. Quant. Electron., QE-22, 1328 (1986)
  • J.P. Agraval. IEEE J. Quant. Electron., QE-23, 860 (1987)
  • J.P. Agraval. Phys. Rev., 106, 1345 (1957)
  • R. Frankenberger, R. Schrimpe. Appl. Phys. Lett., 57, 2520 (1990)
  • J. Mark, J. M/-2mmork. Appl. Phys. Lett., 61, 2281 (1992)
  • A. Uskov, J. M/-2mm ork, J. Mark. IEEE J. Quant. Electron., 30, 1769 (1994)
  • A. D'Ottavi, E. Iannone, A. Mecozzi, S. Scotti, P. Spano, R. Dall'Ara, G. Guecos, J. Eckner. Appl. Phys. Lett., 65, 2633 (1994)
  • M. Willatzen, J. Mark, J. M/-2mmork, C.P. Seltzer. Appl. Phys. Lett., 64, 143 (1994)
  • J. Zhou, N. Park, J.W. Dawson, K.J. Vahala, M.A. Newkirk, B.I. Miller. IEEE Photon. Technol. Lett., 6, 50 (1994)
  • A. D'Ottavi, A. Mecozzi, S. Scotti, F. Cara Romeo, F. Martelli, P. Spano, R. Dall'Ara, J. Eckner, G. Guekos. Appl. Phys. Lett., 67, 2753 (1995)
  • A. Grindt, A. Knorr, M. Hofmann, S.W. Koch. Appl. Phys. Lett., 66, 550 (1995)
  • A. D'Ottavi, F. Martelli, P. Spano, A. Mecozzi, S. Scotti, R. Dall'Ara, J. Eckner, G. Guekos. Appl. Phys. Lett., 68, 2186 (1996)
  • N.C. Kothari, D.J. Blumenthal. IEEE J. Quant. Electron., 32, 1810 (1996)
  • J. M/-2mmork, A. Mecozzi, C. Hultgren. Appl. Phys. Lett., 68, 449 (1996)
  • I. Kolchanov, S. Kindt, K. Peterman, S. Diez, R. Ludwig, R. Shnabel, H.G. Weber. IEEE J. Quant. Electron., 32, 712 (1996)
  • H. Minassian, S. Avetissian. Phys. Rev. B, 34, 963 (1986)
  • Ю.Л. Климонтович, Э.В. Погорелова. ЖЭТФ, 50 (3), 605 (1966)
  • Д.А. Паршин, А.Р. Шабаев. ЖЭТФ, 92 (4), 1471 (1987)
  • S. Adachi. Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds (John Wily \& Sons, 1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.