"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Термоотжиг дефектов в гетероструктурах InGaAs/GaAs с трехмерными островками
Соболев М.М.1, Кочнев И.В.1, Лантратов В.М.1, Берт Н.А.1, Черкашин Н.А.1, Леденцов Н.Н.1, Бедарев Д.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Сообщается о результатах исследования влияния отжига in situ слоя InGaAs в p-n-структурах InGaAs/GaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, на процесс формирования трехмерных когерентно напряженных островков. Исследования структур проводились методами вольт-фарадной спектроскопии и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции. Установлено, что в неотожженной структуре A происходит образование трехмерных островков с дислокациями несоответствия, а в отожженной структуре B --- квантовых точек. Проведены исследования дефектов с глубокими уровнями. В структуре A обнаружено, что область аккумуляции электронов характеризуется наличием ряда дефектов: EL2, EL3(I3), I2, HL3, HS2, H5. Концентрации ловушек сравнимы с концентрацией мелких доноров, причем концентрация дырочных ловушек больше, чем электронных. После отжига in situ исчезли дефекты EL2 и EL3, связанные с образованием дислокаций; концентрации остальных дефектов упали на порядок и более. Установлено, что в структуре A заселенность квантовых состояний точек контролируется дефектами с глубокими уровнями. В структуре B обнаружено проявление эффекта кулоновского взаимодействия носителей, локализованных в квантовой точке, с ионизованными дефектами.
  • D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Wiley Chichester, 1998)
  • I.N. Stranski, L. Krastanow. Sitzungsberichte d. Akad. d. Wissenscaften in Wien, Abt. Iib, Band 146, p. 797 (1937)
  • F. Heinrichsdorff, A. Krost, D. Bimberg, M. Grundmann, A.O. Kosogov, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 68, 3284 (1996)
  • F. Heinrichsdorff, M.-H. Mao, N. Kirstaedter, A. Krost, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 71, 3284 (1997)
  • D. Bimberg, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, A. Krost, F. Heinrichsdorff. Appl. Surf. Sci., 130--132, 713 (1998)
  • J.C. Ferrer, F. Peiro, A. Cornet, J.R. Morante, T. Utzmeier, G. Armelles, F. Briones. Proc. 19th Int. Conf. on Defects in Semiconductors (Aveiro, Portugal, 1997) [Mater. Sci., Forum, 258--263, 1689 (1997)]
  • A.O. Kosogov, P. Werner, U. Gosele, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 69, 3072 (1996)
  • D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  • M.M. Sobolev, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov. Proc. 19th Int. Conf. on Defects in Semiconductors (Aveiro, Portugal, 1997) [Mater. Sci. Forum, 258--263, pt. 3, 1619 (1997)]
  • М.М. Соболев, Ф.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31, 1249 (1997)
  • М.М. Соболев, Ф.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 33, 184 (1999)
  • M.M. Sobolev, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov. J. Electron. Mater., 28(5), 491 (1999)
  • D. Stievenard, J.C. Bourgoin. J. Appl. Phys., 59, 743 (1986)
  • D. Pons, P.M. Monney, J.C. Bourgoin. J. Appl. Phys., 51, 2038 (1980)
  • G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 191 (1977)
  • A. Mitonneau, G.M. Martin, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 666 (1977)
  • П.Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С.Г. Конников, В.Г. Никитин, М.И. Папенцев, М.М. Соболев. ФТП, 25, 338 (1991)
  • D. Stievenard, X. Boddaert, J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben. Phys. Rev. B, 41, 5271 (1990)
  • G. Yusa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 70, 345 (1997)
  • G.P. Watson, D.G. Ast, T.J. Anderson, B. Pathangey, Y. Hayakawa. J. Appl. Phys., 71, 3399 (1992)
  • P.D. Siverns, S. Malik, G. McPherson, D. Childs, C. Roberts, R. Murray, B.A. Joyce. Phys. Rev. B, 58, R10 127 (1998)
  • S. Anand, N. Carlsson, M.-E. Pistol, L. Samuelson, W. Seifert. Appl. Phys. Lett., 67, 3016 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.