Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности электроактивации ²⁸Si в монокристаллическом и эпитаксиальном GaAs при радиационном отжиге

Ардышев В.М.¹, Ардышев М.В.², Хлудков С.С.²

¹Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия Tomsk Polytechnic University, Tomsk, Russia

²Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 29 марта 1999 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами вольт-фарадных характеристик и Ван-дер-Пау исследованы свойства ионно-легированных слоев как в монокристаллическом, так и в эпитаксиальном GaAs : Si после быстрого термического отжига (при T=825, 870, 905^oC, в течение 12 с). Показано, что в отличие от термического отжига (800^oC, 30 мин) наблюдается диффузионное перераспределение кремния в глубь GaAs для материалов обоих типов, причем значения коэффициента диффузии в монокристаллическом материале больше, чем в эпитаксиальном. Анализ температурной зависимости подвижности электронов в ионно-легированных слоях после быстрого термического отжига свидетельствует о существенно меньшей концентрации дефектов, ограничивающих подвижность, по сравнению с результатами термического отжига в течение 30 мин.

В.М. Ардышев, М.В. Ардышев. ФТП, 10, 1153 (1998)
В.М. Ардышев, М.В. Ардышев. Изв. вузов. Физика, N 7, 89(1998)
В.М. Ардышев, М.В. Ардышев. Изв. вузов. Физика, N 11, 78 (1998)
А.В. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин. Таблицы параметров пространственного распределения имплантированных примесей (Минск, Изд-во БГУ, 1980)
МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов, пер. с англ. под ред. Р.А. Суриса (М., Радио и связь, 1988)
Т.Т. Лаврищев, С.С. Хлудков. В сб.: Арсенид галлия (Томск, Изд-во ТГУ, 1974)
Б.М. Горюнов, Е.И. Зорин, П.В. Павлов, В.П. Сорвина, В.С. Тулопчиков, Н.В. Тяжелова. В сб.: Арсенид галлия (Томск, Изд-во ТГУ, 1974)
B. Podor, N. Nador. Acta Phys. Acad. Sci. Hung., 37(4), 317 (1974)
Ф. Блатт. Теория подвижности электронов в твердых телах, пер. с англ. под ред. А.И. Ансельма (М., Физматгиз, 1963)
L.R. Weisberg. J. Appl. Phys., 33, 1817 (1962)
R. Stratton. J. Phys. Chem. Soc., 23, 1011 (1962)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель