"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоприемники на основе кремния, легированного осмием
Юнусов М.С.1, Муминов Р.А.1, Нуркузиев Г.1, Гаппаров Н.1, Холбоев А.1
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 6 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.

В данной работе созданы фотоприемники с низким управляющим напряжением на кремнии, легированном осмием. В качестве исходного материала выбран n-Si. Легирование кремния осмием осуществлялось диффузионным методом. Исследованы характеристики структур при 300 K.
  1. С.А. Азимов, М.С. Юнусов, Г. Нуркузиев, Ф.Р. Каримов. ФТП, 12, 1655 (1978)
  2. А.В. Каримов, Г. Нуркузиев. ДАН РУз, N 6 (1993)
  3. М. Балкански, П. Лалеман. Фотоника (М., Мир, 1978)
  4. Техника оптической связи --- фотоприемники, под ред. У. Тсанга (М., Мир, 1988)
  5. С.А. Азимов, Р.А. Муминов, С.Х. Шамирзаев, А.Я. Яфасов. Кремний-литиевые детекторы ядерного излучения (Ташкент, Фан, 1981)
  6. Полупроводниковые формирователи сигналов изображения, под ред. П. Йесперса, Ф.Ванде, М. Хайта (М., Мир, 1979)
  7. Г.К. Полторапавлова, Н.П. Удалов. Фототиристоры (М., Энергия, 1971)
  8. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.