"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоприемники на основе кремния, легированного осмием
Юнусов М.С.1, Муминов Р.А.1, Нуркузиев Г.1, Гаппаров Н.1, Холбоев А.1
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 6 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.

В данной работе созданы фотоприемники с низким управляющим напряжением на кремнии, легированном осмием. В качестве исходного материала выбран n-Si. Легирование кремния осмием осуществлялось диффузионным методом. Исследованы характеристики структур при 300 K.
  • С.А. Азимов, М.С. Юнусов, Г. Нуркузиев, Ф.Р. Каримов. ФТП, 12, 1655 (1978)
  • А.В. Каримов, Г. Нуркузиев. ДАН РУз, N 6 (1993)
  • М. Балкански, П. Лалеман. Фотоника (М., Мир, 1978)
  • Техника оптической связи --- фотоприемники, под ред. У. Тсанга (М., Мир, 1988)
  • С.А. Азимов, Р.А. Муминов, С.Х. Шамирзаев, А.Я. Яфасов. Кремний-литиевые детекторы ядерного излучения (Ташкент, Фан, 1981)
  • Полупроводниковые формирователи сигналов изображения, под ред. П. Йесперса, Ф.Ванде, М. Хайта (М., Мир, 1979)
  • Г.К. Полторапавлова, Н.П. Удалов. Фототиристоры (М., Энергия, 1971)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.