"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Проводимость и край поглощения аморфного силицина
Машин А.И.1, Хохлов А.Ф.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 5 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

Приведены результаты экспериментов по изучению температурной зависимости проводимости и спектра коэффициента поглощения аморфного силицина --- линейной аллотропной формы кремния. Обнаружено, что силицин является полупроводником с шириной запрещенной зоны ~ 1.6 эВ. Механизм проводимости вблизи комнатной температуры --- прыжковый, и проводимость при комнатной температуре составляет ~ 10-8 Ом-1·см-1. Рассматривается влияние столбчатой структуры исходной пленки на процесс формирования силицина при отжиге a-Si : H.
  • А.Ф. Хохлов, А.И. Машин, Д.А. Хохлов. Письма ЖЭТФ, 67, 646 (1998)
  • Ph.F. Schewe, B. Stein. The American Institute of Physics Bulletin of Physics News, N 388 (Sept. 3, 1998)
  • А.И. Машин, А.Ф. Хохлов, И.В. Кольчугин и др. Вестн. ННГУ. Сер. Физика твердого тела, 112 (1998)
  • Физика гидрогенизированного аморфного кремния, под ред. Дж. Джоунопулоса и Дж. Люковски (М., Мир, 1987)
  • J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu. Phys. St. Sol., 15, 627 (1966)
  • R.H. Klazes, van der M.H.L.M. Brock, J. Bezemer, S. Radelaar. Phil. Mag. B, 25, 377 (1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.