"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Молекулярно-лучевая эпитаксия сильно рассогласованной по постоянной решетке гетеросистемы AlN/Si(111) для применения в приборах поверхностных акустических волн
Кипшидзе Д.Г.1, Шенк Х.П.2, Фиссел А.2, Кайзер У.2, Вайнахт М.3, Кунце Р.3, Кройслих И.4, Шульце И.2, Рихтер Во.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики твердого тела, Университет Фридриха Шиллера, Иена, Германия
3Научно-исследовательский институт твердого тела, Дрезден, Германия
4Институт оптики и квантовой электроники, Университет Фридриха Шиллера Иена, Германия
Поступила в редакцию: 16 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

Представлены результаты применения молекулярно-лучевой эпитаксии для выращивания пьезоэлектрических пленок AlN на подложках Si(111), пригодных для приборного применения. Определены технологические условия роста стехиометрического AlN путем управления реконструкцией поверхности, возникающей в различных термодинамических условиях на ростовой поверхности. Полученные пленки AlN гексагонального политипа имели высокое кристаллическое совершенство и атомарно-гладкую эпитаксиальную поверхность. Обнаружен механизм релаксации кристаллической решетки AlN на расстоянии одного монослоя от гетерограницы. Продемонстрированы пьезоэлектрические свойства пленки AlN. Исследования временных характеристик поверхностной акустической волны свидетельствуют о низком уровне рассеяния волны в процессе распространения. Коэффициент электромеханической связи измерен в геометрии встречно-гребенчатого преобразователя (lambda=16 мм) и составил 0.07% при частоте f=286 МГц, что находится в хорошем согласии с теоретическим значением для пленки AlN толщиной 1.04 мкм.
  • K. Tsubouchi, N. Mikoshiba. IEEE Trans. Sonics Ultrason., SU--32, 634 (1985)
  • K. Shimada, T. Sota, K. Suzuki. J. Appl. Phys., 84, 4951 (1998)
  • G.D. O'Clock, Jr., M.T. Duffy. Appl. Phys. Lett., 23, 55 (1973)
  • J.K. Liu, K.M. Lakin, K.L. Wang. J. Appl. Phys., 46, 3703 (1975)
  • H. Okano, N. Tanaka, K. Shibata, S. Nakano. Jpn. J. Appl. Phys., 32, 4052 (1993); H. Okano, N. Tanaka, Y. Takahashi, T. Tanaka, K. Shibata, S. Nakano. Appl. Phys. Lett., 64, 166 (1994)
  • K. Kaya, H. Takahashi, Y. Shibata, Y. Kanno, T. Hirai. Jpn. J. Appl. Phys., 36, 2837 (1997)
  • T. Suetsugu, T. Yamazaki, S. Tomabechi, K. Wada, K. Masu, K. Tsobouchi. Appl. Surf. Sci., 117/118, 540 (1997)
  • C. Deger, E. Born, H. Angerer, O. Ambacher, M. Stutzmann, J. Hornsteiner, E. Riha, G. Fischerauer. Appl. Phys. Lett., 72, 2400 (1998)
  • F.S. Hickernell, H.M. Liaw. In: Proc. IEEE 9th Int. Symp. Appl. Ferroelectrics, (1995) p. 543
  • Y.-J. Yong, J.-Y. Lee. J. Vac. Sci. Technol. A, 15, 390 (1997)
  • L.G. Pearce, R.L. Gunshor, R.F. Pierret. In: Proc. 1981 IEEE Ultrason. Symp. (1981) p. 381
  • K.S. Stevens, M. Kinniburgh, A.F. Schwartzman, A. Ohtani, R. Beresford. Appl. Phys. Lett., 66, 3179 (1995)
  • K.S. Stevens, M. Kinniburgh, R. Beresford. Appl. Phys. Lett., 66, 3518 (1995)
  • S. Karmann, H.P.D. Schenk, U. Kaiser, A. Fissel, Wo. Richter. Mater. Sci. Eng. B, 50, 228 (1997)
  • K. Dovidenko, S. Oktyabrsky, J. Narayan, M. Razeghi. J. Appl. Phys., 79, 2439 (1996)
  • W.J. Meng, J.A. Sell, T.A. Perry, L.E. Rehn, P.M. Baldo. J. Appl. Phys., 75, 3446 (1994)
  • I. Ivanov, L. Hultman, K. Jarrendahl, P. Martensson, J.-E. Sundgren, B. Hjorvarsson, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 78, 5721 (1995)
  • B. Daudin, F. Widmann. J. Cryst. Growth, 182, 1 (1997)
  • A. Osinsky, S. Gangopadhyay, J.W. Yang, R. Gaska, D. Kuksenkov, H. Temkin, I.K. Shmagin, Y.C. Chang, J.F. Muth, R.M. Kolbas. Appl. Phys. Lett., 72, 551 (1998)
  • M.A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, E. Monroy, F.J. Sanchez, F. Calle, E. Munoz, R. Beresford. J. Cryst. Growth, 183, 23 (1998)
  • H.P.D. Schenk, U. Kaiser, G.D. Kipshidze, A. Fissel, J. Krausslich, H. Hobert, J. Schulze, Wo. Richter. Mater. Sci. Eng. B, 59, 84 (1999)
  • M.A.L. Johnson, S. Fujita, W.H. Rowland, Jr, K.A. Bowers, W.C. Hughes, Y.W. He, N.A. El-Masry, J.W. Cook, Jr, J.F. Schetzina, J. Ren, J.A. Edmond. J. Vac. Sci. Eng. B, 14, 2349 (1996)
  • U. Rossner. Thesis, CEA, Grenoble, 1995
  • A. Bourret, A. Barski, J.L. Rouvi\`ere, G. Renaud, A. Barbier. J. Appl. Phys., 83 (1998) 2003
  • K. Jarrendahl, S.A. Smith, T. Zheleva, R.S. Kern, R.F. Davis. Mater. Sci. Forum, 264/268, 1181 (1998)
  • W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces (Springer, Berlin, 1993) p. 257
  • U. Kaiser, P.D. Brown, I. Khodos, C.J. Humphreys, H.P.D. Schenk, Wo. Richter. J. Mater. Res. (in press)
  • A. Trampert, O. Brandt, H. Yang, K.H. Ploog. Appl. Phys. Lett., 70, 583 (1997).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.