"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффекты сильного p-легирования в спектрах поляризованной эмиссии и низкотемпературной люминесценции напряженных GaAs/GaAsP-пленок
Субашиев А.В.1, Калевич В.К.2, Мамаев Ю.А.1, Оскотский Б.Д.1, Яшин Ю.П.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

Экспериментально исследована оптическая ориентация спинов электронов в сильно легированных полупроводниковых напряженных пленках GaAs и GaAsP с валентной зоной, расщепленной вследствие одноосной деформации. Показано, что экспериментальные спектры поляризованной люминесценции и поляризованной фотоэмиссии хорошо описываются в модели, учитывающей размытие краев зон флуктуационным потенциалом, создаваемым примесями, вырождение носителей при понижении температуры и непрямые оптические переходы с участием фононов. Установлено, что доминирующим механизмом спиновой релаксации электронов в напряженных пленках является механизм Бира--Аронова--Пикуса. Определены параметры флуктуационного потенциала и параметры, определяющие спиновую релаксацию носителей.
  1. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  2. Д.Н. Бычковский, О.В. Константинов, Б.В. Царенков. ФТП 24, 1848 (1990); О.В. Константинов, О.И. Оболенский, Б.В. Царенков. ФТП 31, 571 (1997)
  3. S.C. Jain, D.J. Roulson. Sol. St. Electron., 28, 11 (1985)
  4. A.A. Klochichin. Phys. Rev. B, 52, 10 979 (1995)
  5. H.S. Bennet, J.R. Lowney. Appl. Phys., 62, 521 (1987)
  6. A. Balderesci, N.O. Lipari. Phys. Rev. B, 8, 2697 (1973); Phys. Rev. B, 9, 1525 (1974)
  7. A.V. Subashiev, E.P. German. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia 1997) p. 130; Е.П. Герман, А.В. Субашиев. Письма ЖЭТФ, 65, 867 (1997)
  8. A.V. Subashiev, Yu.A. Mamaev, Yu.P. Yashin, J.C. Clendenin. Phys. Low-Dim. Struct., 1/2, 1 (1999)
  9. R. Mair. A Polarized Photoemission Study of Strained-layer GaAs Photocathodes, SLAC--Reprint-448 (1996)
  10. T. Maruyama, E.L. Garwin, R. Prepost, G.H. Zapalac. Phys. Rev. B, 46, 4261 (1992)
  11. S. Wongmanerod, P.O. Holtz, K. Reginski, B. Sernelius, B. Monemar, M. Bugajski, O. Mauritz, M. Godlewski. Proc. 24th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, Tel-Aviv, 1998 (World Scientific, 1998)
  12. Yu.A. Mamaev, Yu.P. Yashin, A.V. Subashiev, M.S. Galaktionov, B.S. Yavich, O.V. Kovalenkov, D.A. Vinokurov, N.N. Faleev. Phys. Low-Dim. Struct., 7, 27 (1994)
  13. D.N. Mirlin, V.I. Perel'. Hot-electron hotoluminescence under CW pumping. In: Spectroscopy of nonequilibrium electrons and photons, ed. by C.V. Shank and B.P. Zakharchenya (North-Holland, 1992) p. 269
  14. М.И. Дьяконов, В.И. Перель. ЖЭТФ, 60, 1954 (1971)
  15. Г.Л. Бир, Е.Л. Ивченко. ФТП, 9, 1300 (1975)
  16. Г.Л. Бир, А.Г. Аронов, Г.Е. Пикус, ЖЭТФ, 60, 1382 (1975)
  17. B.D. Oskotskij, A.V. Subashiev, Yu.A. Mamaev. Phys. Low-Dim. Struct., 1/2, 77 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.