Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Моделирование распределения электронов в структурах AlGaAs/GaAs (delta-Si), выращенных на вицинальных поверхностях
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 2 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.
Проведены расчеты распределения потенциала и концентрации электронов в структурах AlGaAs/GaAs (delta-Si), выращенных на вицинальных поверхностях. Показана возможность формирования латеральной сверхрешетки в этих структурах. Оценены оптимальные технологические параметры для получения сверхрешетки.
- В.И. Кадушкин, В.А. Кульбачинский, Е.В. Богданов, А.В. Сеничкин. ФТП, 28, 1889 (1994)
- В.И. Кадушкин, Е.Л. Шанина. ФТП, 30, 1676 (1996)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Нерелятивистская теория (М., Наука, 1974) с. 302
- З.Д. Квон, А.Г. Погосов. ФТП, 25, 138 (1991)
- H. Sakaki. Japan. J. Appl. Phys., 19, L735 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
