"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование распределения электронов в структурах AlGaAs/GaAs (delta-Si), выращенных на вицинальных поверхностях
Осадчий В.М.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 2 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

Проведены расчеты распределения потенциала и концентрации электронов в структурах AlGaAs/GaAs (delta-Si), выращенных на вицинальных поверхностях. Показана возможность формирования латеральной сверхрешетки в этих структурах. Оценены оптимальные технологические параметры для получения сверхрешетки.
  1. В.И. Кадушкин, В.А. Кульбачинский, Е.В. Богданов, А.В. Сеничкин. ФТП, 28, 1889 (1994)
  2. В.И. Кадушкин, Е.Л. Шанина. ФТП, 30, 1676 (1996)
  3. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Нерелятивистская теория (М., Наука, 1974) с. 302
  4. З.Д. Квон, А.Г. Погосов. ФТП, 25, 138 (1991)
  5. H. Sakaki. Japan. J. Appl. Phys., 19, L735 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.