"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние легирования индием на формирование комплексов кремний--вакансия галлия в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
Куницын А.Е.1, Чалдышев В.В.1, Вуль С.П.1, Преображенский-=SUP=-*-=/SUP=- В.В.1, Путято-=SUP=-*-=/SUP=- М.А.1, Семягин-=SUP=-*-=/SUP=- Б.Р.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

Проведены исследования низкотемпературной фотолюминесценции слоев арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой (200oC) температуре (LT GaAs) и легированных кремнием или совместно кремнием и индием. В спектрах фотолюминесценции неотожженных образцов наблюдалась только линия, связанная с мелкими акцепторами. После отжига образцов в спектрах фотолюминесценции появлялась полоса с энергией ~ 1.2 эВ, обусловленная формированием комплексов SiGa--VGa. Определена энергия активации образования комплексов, которая оказалась близкой к энергии активации диффузии вакансий галлия, и в LT GaAs : Si составляет 1.9± 0.3 эВ. Установлено, что совместное легирование LT GaAs кремнием и индием приводит к увеличению энергии активации образования комплексов SiGa--VGa до 2.5± 0.3 эВ. Высказано предположение о том, что увеличение энергии активации связано с взаимодействием вакансий галлия с индием за счет локальных деформаций решетки.
  • E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968)
  • E.W. Williams, H.B. Bell. In: Semiconductors and Semimetals, ed. by R.K. Willardson and G.C. Beer (Academic Press, N.Y.--London) 8, 321 (1972)
  • Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 30, 1123 (1996)
  • M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright, F. Smith, B.Y. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1881 (1989)
  • J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, S. Eichler, M. Luysberg, H. Sohn, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 71, 638 (1997)
  • X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
  • Z. Liliental-Weber, X.W. Lin, J. Washburn, W. Schaff. Appl. Phys. Lett., 66, 2086 (1995)
  • C. Kisielowski, A.R. Calawa, Z. Liliental-Weber. J. Appl. Phys., 80, 156 (1996)
  • N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, Yu.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 74, 1442 (1999)
  • Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  • I.A. Bobrovnikova, L.G. Lavrentieva, M.P. Rusaikin, M.D. Vilisova. J. Cryst. Growth, 123, 529 (1992)
  • J.--L. Rouviere, Y. Kim, J. Cunningham, J.A. Rentschler, A. Bourret, A. Ourmazd. Phys. Rev. Lett., 68, 2798 (1992)
  • D.E. Bliss, W. Walukiewicz, J.W. Ager, E.E. Haller, K.T. Chan, S. Tanigawa. J. Appl. Phys., 71, 1699 (1992)
  • S.A. McQuaid, R.C. Newman, M. Missous, S. O'Hagan. Appl. Phys. Lett., 61, 3008 (1992)
  • N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.E. Kunitsyn, Yu.G. Musikhin, N.N. Faleev, V.V. Tretyakov, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Appl. Phys. Lett., 70, 3146 (1997)
  • M. Luysberg, H. Sohn, A. Prasad, P. Specht, Z. Liliental--Weber, E.R. Weber, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg. J. Appl. Phys., 83, 561 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.