Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние легирования индием на формирование комплексов кремний--вакансия галлия в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 17 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.
Проведены исследования низкотемпературной фотолюминесценции слоев арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой (200oC) температуре (LT GaAs) и легированных кремнием или совместно кремнием и индием. В спектрах фотолюминесценции неотожженных образцов наблюдалась только линия, связанная с мелкими акцепторами. После отжига образцов в спектрах фотолюминесценции появлялась полоса с энергией ~ 1.2 эВ, обусловленная формированием комплексов SiGa-VGa. Определена энергия активации образования комплексов, которая оказалась близкой к энергии активации диффузии вакансий галлия, и в LT GaAs : Si составляет 1.9± 0.3 эВ. Установлено, что совместное легирование LT GaAs кремнием и индием приводит к увеличению энергии активации образования комплексов SiGa-VGa до 2.5± 0.3 эВ. Высказано предположение о том, что увеличение энергии активации связано с взаимодействием вакансий галлия с индием за счет локальных деформаций решетки.
- E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968)
- E.W. Williams, H.B. Bell. In: Semiconductors and Semimetals, ed. by R.K. Willardson and G.C. Beer (Academic Press, N.Y.--London) 8, 321 (1972)
- Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 30, 1123 (1996)
- M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright, F. Smith, B.Y. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1881 (1989)
- J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, S. Eichler, M. Luysberg, H. Sohn, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 71, 638 (1997)
- X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
- Z. Liliental-Weber, X.W. Lin, J. Washburn, W. Schaff. Appl. Phys. Lett., 66, 2086 (1995)
- C. Kisielowski, A.R. Calawa, Z. Liliental-Weber. J. Appl. Phys., 80, 156 (1996)
- N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, Yu.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 74, 1442 (1999)
- Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
- I.A. Bobrovnikova, L.G. Lavrentieva, M.P. Rusaikin, M.D. Vilisova. J. Cryst. Growth, 123, 529 (1992)
- J.--L. Rouviere, Y. Kim, J. Cunningham, J.A. Rentschler, A. Bourret, A. Ourmazd. Phys. Rev. Lett., 68, 2798 (1992)
- D.E. Bliss, W. Walukiewicz, J.W. Ager, E.E. Haller, K.T. Chan, S. Tanigawa. J. Appl. Phys., 71, 1699 (1992)
- S.A. McQuaid, R.C. Newman, M. Missous, S. O'Hagan. Appl. Phys. Lett., 61, 3008 (1992)
- N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.E. Kunitsyn, Yu.G. Musikhin, N.N. Faleev, V.V. Tretyakov, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Appl. Phys. Lett., 70, 3146 (1997)
- M. Luysberg, H. Sohn, A. Prasad, P. Specht, Z. Liliental--Weber, E.R. Weber, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg. J. Appl. Phys., 83, 561 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
