"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Применение сверхбыстрого (102-103 oC / c) охлаждения раствора--расплава в жидкофазной эпитаксии полупроводников
Абрамов А.В.1, Дерягин Н.Г.1, Третьяков Д.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

Применение сверхвысокой (102-103 oC / с) скорости охлаждения раствора--расплава существенно расширяет возможности метода жидкофазной эпитаксии. На примере систем Al--Ga--As показано влияние сверхбыстрого охлаждения на основные параметры выращиваемых слоев, такие как толщина, состав и концентрация носителей. Рассмотрены возможности метода для получения различных полупроводниковых гетроструктур с сильным (вплоть до 12%) рассогласованием параметров решеток контактирующих материалов.
  1. A.V. Abramov, N.G. Deryagin, D.N. Tret'yakov. Semicond. Sci. Technol., 11, 607 (1996)
  2. A.V. Abramov, N.G. Deryagin, D.N. Tret'yakov. Semicond. Sci. Technol., 9, 1815 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.