"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Применение сверхбыстрого (102-103 oC / c) охлаждения раствора--расплава в жидкофазной эпитаксии полупроводников
Абрамов А.В.1, Дерягин Н.Г.1, Третьяков Д.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

Применение сверхвысокой (102-103 oC / с) скорости охлаждения раствора--расплава существенно расширяет возможности метода жидкофазной эпитаксии. На примере систем Al--Ga--As показано влияние сверхбыстрого охлаждения на основные параметры выращиваемых слоев, такие как толщина, состав и концентрация носителей. Рассмотрены возможности метода для получения различных полупроводниковых гетроструктур с сильным (вплоть до 12%) рассогласованием параметров решеток контактирующих материалов.
  • A.V. Abramov, N.G. Deryagin, D.N. Tret'yakov. Semicond. Sci. Technol., 11, 607 (1996)
  • A.V. Abramov, N.G. Deryagin, D.N. Tret'yakov. Semicond. Sci. Technol., 9, 1815 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.