Вышедшие номера
Радиационное облучение как возможный метод для формирования SiC-гетероструктур
Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

В работе рассмотрены некоторые аспекты физики гетерополитипных переходов на основе карбида кремния. Известно, что введение некоторых примесей в зону роста при эпитаксии карбида кремния приводит к росту пленок, имеющих другой политип, чем исходная подложка. Известно также, что эти примеси приводят к образованию определенных глубоких центров в запрещенной зоне проводника. Проведенный в настоящей работе анализ литературных данных показывает, что к образованию этих глубоких центров приводит также облучение SiC различными заряженными частицами. Высказывается предположение, что при определенных условиях эксперимента возможна трансформация политипа уже выращенной эпитаксиальной структуры SiC под воздействием облучения и последующего отжига.