Вышедшие номера
Широкозонные полупроводники для силовой электроники
Лебедев А.А.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

Рассмотрены последние результаты, полученные при разработке силовых приборов на основе широкозонных полупроводников. Показано, что в настоящее время самым перспективным материалом для высокотемпературной, радиационно стойкой силовой электроники остается карбид кремния. Рассмотрены некоторые проблемы, содержащие широкое промышленное внедрение приборов на основе SiC.