Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Широкозонные полупроводники для силовой электроники
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.
Рассмотрены последние результаты, полученные при разработке силовых приборов на основе широкозонных полупроводников. Показано, что в настоящее время самым перспективным материалом для высокотемпературной, радиационно стойкой силовой электроники остается карбид кремния. Рассмотрены некоторые проблемы, содержащие широкое промышленное внедрение приборов на основе SiC.
- E.O. Jonson. RCA Rev., 26, 163 (1965)
- А.Е. Отблеск, В.Е. Челноков. Матер. 11 Зимней школы ФТИ (Л., ЛИЯФ, 1979) с. 161
- M.N. Yoder. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-43, 1633 (1996)
- R.W. Keyes. Proc. IEEE, 60, 225 (1972)
- B.J. Baliga. J. Appl. Phys., 53, 1759 (1982)
- R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. Asif Khan, M.S. Shur. IEEE Electron. Dev. Lett., 18, 492 (1997)
- K. Szenai, R.S. Scott, B.J. Baliga. IEEE Electron. Dev., 10, 85 (1989)
- S. Nakamura. MRS Billetin, 22, 29 (1997)
- M.S. Shur, M.A. Khan. MRS Billetin, 22, 44 (1997)
- J.T. Torvik, Qin Chang-Hua, M. Lecsono, J.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., 72, 945 (1998)
- Г. Хэниш, Р. Рой. Карбид кремния (М., Мир, 1972) с. 17
- S. Sussman, J.R. Brandor, G.A. Scarsbrook, C.G. Sweeney, T.J. Valentine, A.J. Whitehaed, C.J. Wort. Diamond and Rel. Mater., 3, 303 (1994)
- Q. Wahab, T. Kimoto, A. Ellison, C. Hallin, M. Timonen, R. Yakimova, A. Henry, J.P. Bergman, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 72, 445 (1998)
- C.H. Carter, V.F. Tsvetkov, D. Henshall, O. Kordina, K. Irvine, R. Singh, S.T. Allen, J.W. Palmor. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2--4, 1998, Montpellier, France) p. 1
- A.K. Agarwal, J.B. Casady, L.B. Rowland, S. Seshadri, R.R. Siergeiej, W.F. Valek, C.D. Brandt. IEEE Electron. Dev. Lett., 18, 518 (1997)
- R.R. Siergeiej, S. Sriman, R.C. Clarke, A.H. Agarwal, C.D. Brandt, A.A. Burk, T.J. Smith, A.W. Morse, P.A. Orphanos. Inst. Phys. Conf., No 142, 769 (1996)
- J.A. Cooper, Jr., M.A. Melloch, J.M. Woodall, J. Spitz, K.J. Schoen, J.P. Henning. Meter. Sci. Forum, 264--268, 895 (1998)
- R. Gaska, J.W. Yang, A. Osinsky, Asif Khan, A.O. Orlov, G.L. Shidet, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 72, 707 (1998)
- Ch. Brylinskii. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2--4, 1998, Montpellier, France) p. 45
- S.V. Renadakova, I.P. Nikitina, A.S. Tregubova, V.A. Dmitriev. J. Electron. Mater., 27, 292 (1998)
- V. Dmitriev, S. Rendakova, N. Kuznetsov, N. Savkina, A. Andreev, M. Rastegaeva, M. Munbaeva, A. Morozov. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2--4, 1998, Montpellier, France) p. 251
- A.A. Lebedev, M.G. Rastegaeva, A.L. Syrkin, N.S. Savkina, A.S. Tregubova, V.E. Chelnokov, M.P. Scheglov. Inst. Phys. Cong. Ser, No 155, 605 (1997)
- A.A. Lebedev, A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, D.V. Davydov, V.V. Solov'ev. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2--4, 1998, Montpellier, France) p. 257
- S. Nishino, T. Yoshida, K. Matsumoto, Y. Chen, S.K. Lilov. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2--4, 1998, Montpellier, France) p. 27
- K.P. Raback, R. Yakimova, M. Syvajarui, R. Neiminer, E. Janzen. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2--4, 1998, Montpellier, France) p. 103
- Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.O. Roenkov. Krist. and Technik., 14, 729 (1979).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
