"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Широкозонные полупроводники для силовой электроники
Лебедев А.А.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

Рассмотрены последние результаты, полученные при разработке силовых приборов на основе широкозонных полупроводников. Показано, что в настоящее время самым перспективным материалом для высокотемпературной, радиационно стойкой силовой электроники остается карбид кремния. Рассмотрены некоторые проблемы, содержащие широкое промышленное внедрение приборов на основе SiC.
  • E.O. Jonson. RCA Rev., 26, 163 (1965)
  • А.Е. Отблеск, В.Е. Челноков. Матер. 11 Зимней школы ФТИ (Л., ЛИЯФ, 1979) с. 161
  • M.N. Yoder. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-43, 1633 (1996)
  • R.W. Keyes. Proc. IEEE, 60, 225 (1972)
  • B.J. Baliga. J. Appl. Phys., 53, 1759 (1982)
  • R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. Asif Khan, M.S. Shur. IEEE Electron. Dev. Lett., 18, 492 (1997)
  • K. Szenai, R.S. Scott, B.J. Baliga. IEEE Electron. Dev., 10, 85 (1989)
  • S. Nakamura. MRS Billetin, 22, 29 (1997)
  • M.S. Shur, M.A. Khan. MRS Billetin, 22, 44 (1997)
  • J.T. Torvik, Qin Chang-Hua, M. Lecsono, J.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., 72, 945 (1998)
  • Г. Хэниш, Р. Рой. Карбид кремния (М., Мир, 1972) с. 17
  • S. Sussman, J.R. Brandor, G.A. Scarsbrook, C.G. Sweeney, T.J. Valentine, A.J. Whitehaed, C.J. Wort. Diamond and Rel. Mater., 3, 303 (1994)
  • Q. Wahab, T. Kimoto, A. Ellison, C. Hallin, M. Timonen, R. Yakimova, A. Henry, J.P. Bergman, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 72, 445 (1998)
  • C.H. Carter, V.F. Tsvetkov, D. Henshall, O. Kordina, K. Irvine, R. Singh, S.T. Allen, J.W. Palmor. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2--4, 1998, Montpellier, France) p. 1
  • A.K. Agarwal, J.B. Casady, L.B. Rowland, S. Seshadri, R.R. Siergeiej, W.F. Valek, C.D. Brandt. IEEE Electron. Dev. Lett., 18, 518 (1997)
  • R.R. Siergeiej, S. Sriman, R.C. Clarke, A.H. Agarwal, C.D. Brandt, A.A. Burk, T.J. Smith, A.W. Morse, P.A. Orphanos. Inst. Phys. Conf., No 142, 769 (1996)
  • J.A. Cooper, Jr., M.A. Melloch, J.M. Woodall, J. Spitz, K.J. Schoen, J.P. Henning. Meter. Sci. Forum, 264--268, 895 (1998)
  • R. Gaska, J.W. Yang, A. Osinsky, Asif Khan, A.O. Orlov, G.L. Shidet, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 72, 707 (1998)
  • Ch. Brylinskii. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2--4, 1998, Montpellier, France) p. 45
  • S.V. Renadakova, I.P. Nikitina, A.S. Tregubova, V.A. Dmitriev. J. Electron. Mater., 27, 292 (1998)
  • V. Dmitriev, S. Rendakova, N. Kuznetsov, N. Savkina, A. Andreev, M. Rastegaeva, M. Munbaeva, A. Morozov. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2--4, 1998, Montpellier, France) p. 251
  • A.A. Lebedev, M.G. Rastegaeva, A.L. Syrkin, N.S. Savkina, A.S. Tregubova, V.E. Chelnokov, M.P. Scheglov. Inst. Phys. Cong. Ser, No 155, 605 (1997)
  • A.A. Lebedev, A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, D.V. Davydov, V.V. Solov'ev. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2--4, 1998, Montpellier, France) p. 257
  • S. Nishino, T. Yoshida, K. Matsumoto, Y. Chen, S.K. Lilov. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2--4, 1998, Montpellier, France) p. 27
  • K.P. Raback, R. Yakimova, M. Syvajarui, R. Neiminer, E. Janzen. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2--4, 1998, Montpellier, France) p. 103
  • Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.O. Roenkov. Krist. and Technik., 14, 729 (1979).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.