"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Краевая фотолюминесценция сильно легированного InxGa1-xAs1-yPy (lambda=1.2 мкм)
Карачевцева М.В.1, Страхов В.А.1, Яременко Н.Г.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 30 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Исследованы спектры краевой фотолюминесценции сильно легированного донорами InxGa1-xAs1-yPy (x=0.77, y=0.53) в диапазоне температур 77/ 300 K. Проведен расчет температурных зависимостей положения максимума и полуширины спектров на основе теории люминесценции, учитывающей флуктуации потенциала краев зон вследствие неоднородного распределения примесей. Получено хорошее согласие экспериментальных и расчетных кривых. При низких температурах в сильно легированном InxGa1-xAs1-yPy как p-, так и n-типа проводимости наблюдались смещение энергии максимума в сторону низких частот, уширение спектров и снижение интенсивности фотолюминесценции по сравнению с аналогичными параметрами спектров нелегированного материала. Анализируются механизмы излучательной рекомбинации.
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  • А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 133, 427 (1981)
  • В.А. Вилькоцкий, Д.С. Доманевский, С.В. Жоховец, М.В. Прокопеня. ФТП, 12, 2193 (1984)
  • В.Л. Королев, В.Г. Сидоров. ФТП, 22, 1359 (1988)
  • В.П. Евтихиев, Д.З. Гарбузов, В.А. Агаев, В.Б. Халфин, В.П. Чалый. ФТП, 17, 1652 (1983)
  • Д.З. Гарбузов, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ЖТФ, 53, 315 (1983)
  • В.В. Осипов, Т.И. Соболева, М.Г. Фойгель. ФТП, 13, 542 (1979).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.