"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Краевая фотолюминесценция сильно легированного InxGa1-xAs1-yPy (lambda=1.2 мкм)
Карачевцева М.В.1, Страхов В.А.1, Яременко Н.Г.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 30 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Исследованы спектры краевой фотолюминесценции сильно легированного донорами InxGa1-xAs1-yPy (x=0.77, y=0.53) в диапазоне температур 77/ 300 K. Проведен расчет температурных зависимостей положения максимума и полуширины спектров на основе теории люминесценции, учитывающей флуктуации потенциала краев зон вследствие неоднородного распределения примесей. Получено хорошее согласие экспериментальных и расчетных кривых. При низких температурах в сильно легированном InxGa1-xAs1-yPy как p-, так и n-типа проводимости наблюдались смещение энергии максимума в сторону низких частот, уширение спектров и снижение интенсивности фотолюминесценции по сравнению с аналогичными параметрами спектров нелегированного материала. Анализируются механизмы излучательной рекомбинации.
  1. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  2. А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 133, 427 (1981)
  3. В.А. Вилькоцкий, Д.С. Доманевский, С.В. Жоховец, М.В. Прокопеня. ФТП, 12, 2193 (1984)
  4. В.Л. Королев, В.Г. Сидоров. ФТП, 22, 1359 (1988)
  5. В.П. Евтихиев, Д.З. Гарбузов, В.А. Агаев, В.Б. Халфин, В.П. Чалый. ФТП, 17, 1652 (1983)
  6. Д.З. Гарбузов, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ЖТФ, 53, 315 (1983)
  7. В.В. Осипов, Т.И. Соболева, М.Г. Фойгель. ФТП, 13, 542 (1979).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.