"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности влияния фотовозбуждения p-Si in situ при имплантации малых доз ионов на формирование радиационных дефектов
Барабаненков М.Ю.1, Леонов А.В.1, Мордкович В.Н.1, Омельяновская Н.М.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 13 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Метдом DLTS исследовано влияние температуры и фотовозбуждения p-Si in situ при имплантации малых доз ионов на формирование комплексов радиационных дефектов. Образцы p-Si облучались ускоренными до 150 кэВ ионами Ar+ дозой 7·1010 см-2 при температуре 300 и 600 K. Фотовозбуждение p-Si проводилось ультрафиолетовым излучением. Показано, что нерадиационный нагрев имплантируемых ионами образцов приводит к увеличению общей концентрации комплексов дефектов при одноврeменном изменении типа доминирующего комплекса, а ультрафиолетовая подсветка полупроводника подавляет дефектообразование. Обнаружено, что эффективность воздействия фотовозбуждения in situ на образование комплексов радиационных дефектов существенно уменьшается с ростом температуры мишени. Установлена немонотонная зависимость концентрации вторичных дефектов от интенсивности подсветки p-Si при внедрении ускоренных ионов. Проведен сравнительный анализ результатов, полученных для p-Si, с уже известными данными для n-Si.
  1. Ю.Н. Ерохин, А.Г. Итальянцев, В.Н. Мордкович. Письма ЖТФ, 14, 835 (1988)
  2. A.B. Danilin, Yu.N. Erokhin, V.N. Mordkovich, N. Hatzopoulos, P.L.F. Hemment. Nucl. Instr. Meth. B, 69, 268 (1992)
  3. М.Ю. Барабаненков, А.В. Леонов, В.Н. Мордкович, Н.М. Омельяновская. ФТП, 32(5), 523 (1998)
  4. L.C. Kimerling, J.L. Benton. Physica, 116B, 297 (1983); A. Kaniava, A.L.P. Rotondaro, J. Vanhellemont, U. Menczigar, E. Gaubas. Appl. Phys. Lett., 67, 3930 (1995)
  5. F.P. Anre, P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 55, 984 (1983)
  6. R.L. Wang, Y.S. Lin, G.E. Possin, J. Cerins, J. Corbett. J. Appl. Phys., 54, 3839 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.