"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности влияния фотовозбуждения p-Si in situ при имплантации малых доз ионов на формирование радиационных дефектов
Барабаненков М.Ю.1, Леонов А.В.1, Мордкович В.Н.1, Омельяновская Н.М.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 13 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Метдом DLTS исследовано влияние температуры и фотовозбуждения p-Si in situ при имплантации малых доз ионов на формирование комплексов радиационных дефектов. Образцы p-Si облучались ускоренными до 150 кэВ ионами Ar+ дозой 7·1010 см-2 при температуре 300 и 600 K. Фотовозбуждение p-Si проводилось ультрафиолетовым излучением. Показано, что нерадиационный нагрев имплантируемых ионами образцов приводит к увеличению общей концентрации комплексов дефектов при одноврeменном изменении типа доминирующего комплекса, а ультрафиолетовая подсветка полупроводника подавляет дефектообразование. Обнаружено, что эффективность воздействия фотовозбуждения in situ на образование комплексов радиационных дефектов существенно уменьшается с ростом температуры мишени. Установлена немонотонная зависимость концентрации вторичных дефектов от интенсивности подсветки p-Si при внедрении ускоренных ионов. Проведен сравнительный анализ результатов, полученных для p-Si, с уже известными данными для n-Si.
  • Ю.Н. Ерохин, А.Г. Итальянцев, В.Н. Мордкович. Письма ЖТФ, 14, 835 (1988)
  • A.B. Danilin, Yu.N. Erokhin, V.N. Mordkovich, N. Hatzopoulos, P.L.F. Hemment. Nucl. Instr. Meth. B, 69, 268 (1992)
  • М.Ю. Барабаненков, А.В. Леонов, В.Н. Мордкович, Н.М. Омельяновская. ФТП, 32(5), 523 (1998)
  • L.C. Kimerling, J.L. Benton. Physica, 116B, 297 (1983); A. Kaniava, A.L.P. Rotondaro, J. Vanhellemont, U. Menczigar, E. Gaubas. Appl. Phys. Lett., 67, 3930 (1995)
  • F.P. Anre, P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 55, 984 (1983)
  • R.L. Wang, Y.S. Lin, G.E. Possin, J. Cerins, J. Corbett. J. Appl. Phys., 54, 3839 (1983)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.