"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Коэффициент усиления и внутренние потери в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP
Айдаралиев М.1, Зотова Н.В.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Талалакин Г.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Исследованы внутренние потери и усиление в лазерах, излучающих в спектральной области 3/ 4 мкм, на основе ДГС InGaAsSb/InAsSbP. Из токовых зависимостей интенсивности спонтанного излучения за порогом генерации и дифференциальной квантовой эффективности определен коэффициент внутризонного поглощения k0~ 5.6· 10-16 см2. Из зависимости плотности порогового тока от обратной длины резонатора определены внутренние потери в отсутствие инжекции alpha0~ 5 см-1. Проведен расчет внутренних потерь на пороге генерации, показавший их увеличение более чем в 4 раза при уменьшении длины резонатора от 500 до 100 мкм. Приведены температурные зависимости дифференциальной квантовой эффективности, которые объяснены наличием внутризонного поглощения дырками с их переходом в спин-орбитально отщепленную зону. Показано, что в лазерах с короткими резонаторами максимальная рабочая температура определяется не оже-рекомбинацией, а внутризонным поглощением. Получены спектры усиления, которым соответствует практически линейная зависимость внутренних потерь от тока, а также токовая зависимость разделения квазиуровней Ферми, показавшая отсутствие насыщения напряжения на p-n-переходе за порогом генерации.
  • R.U. Martinelli. Laser Focus World, 77 (1996)
  • C.H.L. Goodman. Sol. St. Electron. Dev., 12(5), 129 (1978)
  • Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, З.Н. Соколова, Н.М. Стусь, В.Б. Халфин. ФТП, 31, 1396 (1997)
  • W.W. Bewley, C.L. Felix, I. Vurgaftman, J.R. Meyer, C.-H. Lin, S.J. Murry, D. Zhang, S.S. Pei, L.R. Ram-Moham. J. Appl. Phys., 83(5). 2384 (1998)
  • М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Письма ЖТФ, 24(12), 40 (1998)
  • М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 33(2), 233 (1999)
  • C.H. Henry, R.A. Logan, F.R. Merritt. J. Appl. Phys., 51(6), 3042 (1980)
  • В.П. Грибковский. Полупроводниковые лазеры (Минск, Изд-во Минск. ун-та, 1988)
  • B.W. Hakki, T.L. Paoli. J. Appl. Phys., 44(9), 4113 (1973)
  • М. Айдаралиев. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1991)
  • J. Dixon, J. Ellis. Phys. Rev., 123, 1560 (1961)
  • I. Joindot, J.L. Beylat. Electron. Lett., 29(7), 604 (1993)
  • Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1
  • Т.С. Аргунова, Р.Н. Кютт, Б.А. Матвеев, С.С. Рувимов, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТТ, 36, 3071 (1994)
  • А.А. Попов, В.А. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32, 1139 (1998)
  • B.W. Hakki, T.L. Paoli. J. Appl. Phys., 46, 1299 (1973)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.