"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Реконструкция и электронные состояния гетерограницы Ga2Se3--GaAs
Агапов Б.Л.1, Арсентьев И.Н.2, Безрядин Н.Н.1, Котов Г.И.1, Сумец М.П.1
1Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Методами электронной микроскопии и электронографии установлено, что при образовании слоев Ga2Se3(110) на поверхностях GaAs(100) и (111) в процессе термической обработки их в парах селена формируется переходная область с кристаллографической ориентацией [310] и [211] соответственно. Из исследования спектра поверхностных электронных состояний в сформированных гетероструктурах следует, что снижение плотности поверхностных электронных состояний достигается только после обработки в парах селена в узком временном интервале (от 5 до 30 мин в условиях, используемых в данной работе). В совокупности полученные результаты объясняются в рамках представлений о реконструировании поверхности арсенида галлия в процессе обработки ее в халькогене.
  • W.E. Spicer, I. Lindau, P.E. Gregory, C.M. Garner, P. Pianetta. J. Vac. Sci. Technol., 13, 780 (1976)
  • P. Victorovitch. Rev. Phys. Appl., 25, 895 (1990)
  • Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, В.Д. Стрыгин. ФТП, 27, 131 (1993)
  • Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, Б.Л. Агапов, В.Д. Стрыгин. ФТП, 29, 24 (1995)
  • Б.И. Сысоев, В.Д. Стрыгин, Е.И. Чурсина, Г.И. Котов. Неорг. матер., 27, 1583 (1991)
  • ASTM Difraction Date Card File 1957. Card N 14--450, 20--437.
  • W.E. Spicer, I. Lindau, P.R. Sheath, C.Y. Su. J. Vac. Sci. Technol., 17, 1019 (1980)
  • H. Shigekawa, H. Oigawa, K. Miyake. Appl. Phys. Lett., 65, 607 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.