Методами электронной микроскопии и электронографии установлено, что при образовании слоев Ga₂Se₃(110) на поверхностях GaAs(100) и (111) в процессе термической обработки их в парах селена формируется переходная область с кристаллографической ориентацией [310] и [211] соответственно. Из исследования спектра поверхностных электронных состояний в сформированных гетероструктурах следует, что снижение плотности поверхностных электронных состояний достигается только после обработки в парах селена в узком временном интервале (от 5 до 30 мин в условиях, используемых в данной работе). В совокупности полученные результаты объясняются в рамках представлений о реконструировании поверхности арсенида галлия в процессе обработки ее в халькогене.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.