Электрические и люминесцентные свойства монокристаллов GaAs--AIIBIVCV2
Полушина И.К.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.
Методом кристаллизации из разбавленных галлиевых растворов-расплавов выращены монокристаллы GaAs-AIIBIVAs2. Исследованы электрические и люминесцентные свойства полученных кристаллов. Показано, что реализованный технологический процесс сопровождается обычным легированием арсенида галлия и позволяет выращивать монокристаллы арсенида галлия, оптоэлектронные свойства которых контролируются вводимым в раствор-расплав соединением A IIBIVAs2.
- Н.А. Горюнова. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ АН СССР, 1950)
- Ж.И. Алферов, Б.В. Царенков. ФТП, 19, 2113 (1985)
- Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводниковые соединения элементов III и V групп (М., Мир, 1967)
- Н.А. Горюнова, Н.М. Федорова. ЖТФ, 25, 1339 (1955)
- Полупроводники AIIBIVC2V. Под ред. Н.А. Горюновой, Ю.А. Валова (М., Сов. радио, 1974)
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1978)
- K. Хилсум, А. Роуз-Инс. Полупроводники AIIIBV (М., ИИЛ, 1963)
- О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967)
- M.C. Ohmer, R. Pandey. MRS Bulletin, 23, 16 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
