"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция пленок Si3N4, имплантированных ионами Ge+ и Ar+
Тысченко И.Е.1, Володин В.А.1, Реболе Л.1, Фельсков М.1, Скорупа В.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт ионно-лучевой физики и материаловедения, Исследовательский центр Россендорф, Дрезден, Германия
Поступила в редакцию: 25 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Спектры эмиссии и возбуждения фотолюминесценции при комнатной температуре пленок Si3N4, имплантированных ионами Ge+ и Ar+, исследованы в зависимости от дозы ионов и температуры последующего отжига. Установлено, что внедрение связеобразующих атомов Ge при отжиге вплоть до температуры Ta=1000oC стимулирует образование центров, излучающих в зеленой и фиолетовой областях спектра. Имплантация инертных ионов Ar+ вносит преимущественно безызлучательные дефектные центры. Сравнительный анализ спектров фотолюминесценции данных резерфордовского обратного рассеяния и спектров комбинационного рассеяния показывает, что излучательная рекомбинация связана не с квантово-размерными эффектами в нанокристаллах Ge, а скорее с рекомбинацией на дефектах =Si-Si=, =Si-Ge= и =Ge-Ge=.
  • T. Shimizu-Iwayama, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, T. Fujita, N. Itoh. J. Appl. Phys., 75, 7779 (1994)
  • H.A. Atwater, K.V. Shcheglow, S.S. Wong, K.J. Vahala, R.C. Flagan, M.L. Brongersma, A. Polman. Mater. Res. Soc. Proc., 321, 363 (1994)
  • W. Skorupa, R.A. Yankov, I.E. Tyschenko, H. Frob, T. Bohme, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 68, 2410 (1996)
  • L.-S. Liao, X.-M. Bao, N.-Sh. Li, X.-Q. Zheng, N.-B. Min. J. Luminecs., 68, 199 (1996)
  • Нитрид кремния в электронике, под ред. А.В. Ржанова (Новосибирск, Наука, 1982) с. 198
  • В.В. Васильев, Д.Г. Есаев, С.П. Синица. ЖТФ, 52, 795 (1982)
  • П.А. Пундур, Ю.Г. Шевалгин. Изв. АН ЛатвССР, 5, 74 (1985)
  • V.G. Baru, S. Bayliss, A.P. Chernushich, M.I. Elinson, P. Harris, V.A. Jitov, V.I. Pokalyakin, G.V. Stepanov, L.Yu. Zaharov. Microelectron. Eng., 36, 111 (1997)
  • V.V. Vasilev, I.P. Mikhailovskii, K.K. Svitashev. Phys. St. Sol. (a), 95, K37 (1986)
  • В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск, Наука, 1993) с. 280
  • V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.A. Gritsenko. Sol. St. Phenomena, 57-58, 501 (1997)
  • L. Rebohle, J. von Borany, R. Grotzschel, A. Markwitz, B. Schmidt, I.E. Tyschenko, W. Skorupa, H. Frob, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 71, 19 (1997)
  • П.А. Пундур, Ю.Г. Шевалгин. Журн. прикл. спектроскопии, 5, 843 (1986)
  • H.J. Stein. J. Appl. Phys., 47, 3421 (1976)
  • В.А. Гриценко, А.В. Ржанов, С.П. Синица, В.И. Федченко, Г.Н. Феофанов. ДАН СССР, 287, 1381 (1986)
  • В.А. Гриценко, П.А. Пундур. ФТТ, 28, 3239 (1986)
  • V.V. Vasilev, I.P. Mikhailovskii. Phys. St. Sol. (a), 90, 355 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.