Вышедшие номера
Поляризационная фоточувствительность солнечных элементов ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se2
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.2, Schock H.W.3
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Universitat Stuttgart, Institut fur Physikalische Elektronik, Stuttgart, Germany
Поступила в редакцию: 20 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Рассмотрены результаты применения поляризационной спектроскопии фоточувствительности тонкопленочных солнечных элементов ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se2 с различными толщинами слоев CdS (50 и 100 нм) и ZnO (500 и 1000 нм). Установлено, что коэффициент наведенного фотоплеохроизма понижается, а квантовая эффективность фотопреобразования солнечных элементов повышается с ростом толщины фронтального слоя. Экспериментальные угловые и спектральные зависимости наведенного фотоплеохроизма связываются с антиотражающими свойствами фронтальных слоев ZnO. Сделан вывод о возможностях использования поляризационной спектроскопии фоточувствительности для экспрессной диагностики готовых солнечных элементов и оптимизации технологии их получения.