"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Люминесцентные и электрические свойства светодиодов InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
Кудряшов В.Е.1, Туркин А.Н.1, Юнович А.Э.1, Ковалев А.Н.2, Маняхин Ф.И.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Исследованы спектры люминесценции светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами в диапазоне токов J=0.15 мкА--150 мА. Сравнительно большой квантовый выход излучения при низких J (Jmax=0.5/ 1 мА) обусловлен малой вероятностью безызлучательного туннельного тока. Вольт-амперные характеристики J(V) исследованы при J=10-12-10-1 А; они аппроксимированы функцией V=varphi k+mkT[ln(J/J0)+(J/J1)0.5]+J· Rs. Часть V~(J/J1)0.5 и измерения динамической емкости свидетельствуют о влиянии i-слоев, прилегающих к активному слою. Спектры описаны моделью двумерной плотности состояний с экспоненциальными хвостами в МКЯ. По коротковолновому спаду спектра голубых диодов определено повышение T при увеличении J: T=360-370 K при J=80-100 мА. В зеленых светодиодах обнаружена полоса при 2.7--2.8 эВ, проявляющаяся при больших J; предлагается объяснение этой полосы разделением фаз с различным содержанием In в InGaN.
  • K.G. Zolina, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, S. Nakamura. MRS Int. J. of Nitride Semic. Res., 1/11; http://nsr. mij. mrs. org/1/11
  • K.G. Zolina, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, S. Nakamura. Refer. Rep. J. of Eur. Ceram. Soc., 17, 2033 (1997)
  • К.Г. Золина, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 31, 1055 (1997).
  • A.E. Yunovich, A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyachin, A.N. Turkin, K.G. Zolina. MRS Symp. Proc., 449, 1167 (1997).
  • В.Е. Кудряшов, К.Г. Золина, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 31, 1304 (1997)
  • A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, K.G. Zolina, A.N. Kovalev, F.L. Manyakhin. Proc. 2nd Symposium on III-V Nitride Materials and Processes, 97--34 of Electrochem. Soc., NJ, 83 (1998)
  • S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama. Jpn. J. Appl. Phys., 34, pt, 2, L797 (1995)
  • S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, T. Mukai. Jpn. J. Appl. Phys., 34, pt. 2, L1332 (1995)
  • F.I. Manyakhin, A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich. MRS Int. J. of Nitride Semic. Res., 2/11; http://nsr.mij.org/2/11
  • Ф.И. Маняхин, А.Н. Ковалев, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 32, 63 (1998)
  • 2nd Int. Conf. on Nitride Semiconductors, Tokushima, Japan (1997)
  • T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komari, H. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 36, pt. 2, L382(1997)
  • A. Hangleiter, S. Heppel, J.S. Im, H. Kollmer, J. Off. EGW-3, 1998, Abstr. 52-I
  • H. Sakai, T. Koide, H. Suzauki, M. Yamaguchi, S. Yamasaki, M. Koike, H. Amano, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 34, pt. 2, L1429 (1995)
  • M. Koike, N. Koide, S. Asami, J. Umezaki, S. Nagai, S. Yamasaki, N. Shibata, H. Amano, I. Akasaki. Proc. of SPIE-Int. Soc. Opt. Eng., 3002 (1997)
  • А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. Письма ЖТФ, 22 (23), 82 (1996)
  • Ф.И. Маняхин, А.Н. Ковалев, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 32, 63 (1998)
  • A.V. Dmitriev, A.I. Oruzheinikov. MRS Int. J. of Nitride Semic. Res., 1/46; htt://nsr.mij.mrs.org/1/46
  • K. Domen, R. Soejima, A. Kuramata, T. Tanahashi. MRS Int. J. of Nitride Semic. Res., 3/2; http://nsr.mij.mrs.org/3/2
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.