Вышедшие номера
Осцилляции наведенного фотоплеохроизма в тонкопленочных структурах In(Au)/Si
Ботнарюк В.М.1, Жиляев Ю.В.2, Рудь В.Ю.3, Рудь Ю.В.2
1Университет Молдовы, MD Кишинев, Молдова
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Изготовлены фоточувствительные структуры In(Au)/Si и исследованы их фотоэлектрические свойства при наклонном падении линейно поляризованного излучения со стороны барьерного контакта. Обнаружены осцилляции в спектральных зависимостях квантовой эффективности фотопреобразования и коэффициента наведенного фотоплеохроизма. Осцилляции объяснены интерференцией линейно поляризованного излучения в тонких пленках кремния.