"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование планарно-легированных структур на основе арсенида галлия для сверхвысокочастотных диодов с объемным потенциальным барьером
Малеев Н.А.1, Волков В.В.2, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Ковш А.Р.1, Кокорев М.Ф.3, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Диоды с планарно-легированным потенциальным барьером --- приборы с переносом заряда основными носителями, для которых возможно управление высотой потенциального барьера и формой вольт-амперных характеристик за счет определенного сочетания слоев при выращивании эпитаксиальных структур. Эти приборы выступают в качестве потенциальной замены диодов с барьером Шоттки для ряда сверхвысокочастотных применений. В настоящей работе мы исследуем некоторые типичные проблемы, возникающие при выращивании структур с планарно-легированным потенциальным барьером методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Предлагается технология получения структур, основанная на сочетании газофазной эпитаксии с молекулярно-пучковой эпитаксией. Исследуются различные методы формирования омических контактов в структурах с планарно-легированным потенциальным барьером. Разработана технология, обеспечивающая малые контактные сопротивления (<6·10-7 Ом·см2) и высокий процент выхода годных диодов (>95%). Изготовленные сверхвысокочастотные диоды с планарно-легированным потенциальным барьером сопоставляются с диодами Шоттки на основе арсенида галлия.
  • R.J. Malik, R.T. Aucoin, R.L. Ross, K. Board, C.E.C. Wood, L.F. Eastman. Electron. Lett., 16, 836 (1980)
  • М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
  • M.J. Kearney, I. Dale. GEC J. Res., 8, 1 (1990)
  • B.L. Sharma, S.C. Gupta. Sol. St. Technol., 23, 90 (1980)
  • В.Г. Божков, В.В. Вилисова, К.И. Куракан, О.Ю. Малаховский, Т.М. Табакеева. Электронная промышленность, N 9, 82 (1993)
  • P. Marsh, D. Pavlidis, K. Hong. IEEE Trans. Electron. Dev., 44, 7 (1997)
  • J. Dale, A. Condie, S. Neylon, M.J. Kearney. IEEE MTT-S Digest. (1989) p. 467
  • S. Hutchinson, M. Carr, R. Gwilliam, M.J. Kelly, B.J. Sealy. Electron. Lett., 31, 583 (1995)
  • V.V. Tuyen, B. Szentpali. J. Appl. Phys., 68, 2824 (1990)
  • I. Dale, A. Condie, S. Neylon, M.J. Kearney. 19 Eurupe Microwave Conf. Proc. (1989) p. 237
  • В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, В.А. Красник, Н.А. Малеев. Микроэлектроника, 23, 13 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.