Исследованы вольт-амперные характеристики и фотоэдс диодных структур Pd/por-Si/n-Si в интервале температур 106-300 K. Прямая ветвь вольт-амперной характеристики при комнатной температуре экспоненциальна с коэффициентом неидеальности n>~= 12. При низкой температуре и высоком уровне инжекции зависимость тока от напряжения носит степенной характер с показателем степени, равным 4.1. Обнаружено усиление фототока при увеличении обратного смещения; коэффициент усиления достигал значения 10³ при смещении более 10 В и при 106 K. Сделан вывод о преобладании механизма двойной инжекции носителей заряда в процессе переноса тока через пористый слой. При воздействии газообразного водорода фотоэдс уменьшается по величине на 3, а темновые токи - на 1 порядок. Исследованные структуры характеризуются значительными релаксационными временами как нарастания токов, так и восстановления токов и фотоэдс - после воздействия водорода. Влияние водорода на фотоэлектрические характеристики связывается с образованием дополнительного дипольного слоя на границе Pd/por-Si, понижающего барьер Шоттки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.