"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фоточувствительные структуры на пористом кремнии
Каганович Э.Б.1, Манойлов Э.Г.1, Свечников С.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 15 июня 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Исследуются электрические и фотоэлектрические свойства двух типов сэндвич-структур Al/пористый кремний/монокристаллический кремний (c-Si)/Al с тонкими и толстыми слоями пористого кремния, полученными химическим окрашивающим травлением без приложения электрического поля. Установлено, что свойства структур с тонкими слоями пористого кремния определяются гетеропереходом пористый кремний c-Si. Его свойства объяснены в рамках энергетической зонной диаграммы изотипного гетероперехода с противоположными направлениями изгибов зон по обе стороны перехода, обусловленными проявлением локальных состояний на границе. Фоточувствительность структур с толстым слоем пористого кремния определяется фотопроводимостью пористого кремния. Максимум спектральной зависимости фотопроводимости слоев пористого кремния находится при 400--500 нм. Полученные результаты сравниваются с известными для структур на основе пористого кремния, полученного анодизацией.
  • P. Hlimonaz, O. Klima, A. Hospodkova, E. Hulicius, J. Oswald, E. v Sipek, J.Kov cka. Appl. Phys. Lett., 64, 3118 (1994)
  • T. Ozaki, M. Araki, S. Yoshimura, H. Koyama, N. Koshida. J. Appl. Phys., 76, 1986 (1994)
  • M.J. Heben, Y.S. Tsuo. MRS Symp. Proc., 283 (1993)
  • A. Dafinei, G. Cracium, C. Flueraru, C. Sargentis, E. Niculescu. CAS'97 Proc. 1997 Int. Semicond. Conf. (Sinaia, Romania, 1997) p. 189
  • W.H. Lee, H. Lee, C. Lee. J. Non-Cryst. Sol., 164--166, 965 (1993)
  • J.P. Zheng, K.L. Jiao, W.P. Shen, W.A. Anderson, H.S. Kwok. Appl. Phys. Lett., 61, 459 (1992)
  • H. Shi, Y. Zheng, Y. Wang, R. Yuan. Appl. Phys. Lett., 63, 770 (1993)
  • Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 27, 1371 (1993)
  • L.Z. Yu, C.R. Wie. Sensors and Actuators A, 39, 253 (1993)
  • C. Tsai, K.-H. Li, J.C. Campbell, A. Tasch. Appl. Phys. Lett., 62, 2818 (1993)
  • L.A. Balagurov, D.G. Yarkin, G.A. Petrovicheva, E.A. Petrova, A.F. Orlov, S.Ya. Andryushin. J. Appl. Phys., 82, 4647 (1997)
  • А.Н. Лаптев, А.В. Проказников, Н.А. Рудь. Письма ЖТФ, 23, 59 (1997)
  • Е.В. Астрова, А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 159 (1997)
  • В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 245 (1997)
  • N.J. Pulsford, G.L.J.A. Rikken, Y.A.R.R. Kessener, E.J. Lous, A.H.J. Venhuizen. J. Luminecs., 57, 181 (1993)
  • C. Peng, K.D. Hirschman, P.M. Fauchet. J. Appl. Phys., 80, 295 (1996)
  • G. Smestad, M. Kunst, C. Vial. Sol. Energy Mater. and Sol. Cells, 26, 277 (1992)
  • Ю.А. Вашптанов. Письма ЖТФ, 23, 77 (1997)
  • А.Б. Матвеева, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 29, 2180 (1995)
  • П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, А.В. Петров, А.В. Петрухин, В.Ю. Тимошенко. Поверхность. Физика, химия, механика, 6, 75 (1994)
  • А.В. Петров, А.В. Петрухин. ФТП, 28, 82 (1994)
  • C.C. Yeh, K.Y.J. Hsu, L.K. Samanta, P.P. Chen, H.L. Hwang. Appl. Phys. Lett., 62, 1617 (1993)
  • D.W. Boeringer, R. Tsu. Appl. Phys. Lett., 65, 2332 (1994)
  • R.W. Fathauer, T. George, A. Ksendzov, R.P. Vasquez. Appl. Phys. Lett., 60, 995 (1992)
  • J. Sarathy, S. Shih, Kin Jung, C. Tsai, K.-H. Li, D.-L. Kwong, J.C. Campbell, Shueh-Li Yau, A.J. Bard. Appl. Phys. Lett., 60, 1532 (1992)
  • С.В. Свечнiков, Л.Л. Федоренко, Е.Б. Каганович, А.Д. Сардарлы, С.П. Дикий, С.В. Баранець. УФЖ, 39, 704 (1994)
  • Л.Л. Федоренко, А.Д. Сардарлы, Э.Б. Каганович, С.В. Свечников, С.П. Дикий, С.В. Баранец. ФТП, 31, 6 (1997)
  • С.П. Зимин, В.С. Кузнецов, Н.В. Перч, А.В. Проказников. Письма ЖТФ, 20, 22 (1994)
  • А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
  • Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
  • Л.Л. Казакова, А.А. Лебедев, Э.А. Лебедев. ФТП, 31, 7 (1997)
  • P.H. Hao, X.Y. Hou, F.L. Zhang, Xun Wang. Appl. Phys. Lett., 64, 3602 (1994)
  • O. Klima, P. Hlinomaz, A. Hospodkova, J. Oswald, J. Kov cka. J. Non-Cryst. Sol., 164--166, 961 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.