Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1999, выпуск 3 » Статья стр. 327
<<<>>>
Фоточувствительные структуры на пористом кремнии
Каганович Э.Б.1, Манойлов Э.Г.1, Свечников С.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 15 июня 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.
PDF версия
Исследуются электрические и фотоэлектрические свойства двух типов сэндвич-структур Al/пористый кремний/монокристаллический кремний (c-Si)/Al с тонкими и толстыми слоями пористого кремния, полученными химическим окрашивающим травлением без приложения электрического поля. Установлено, что свойства структур с тонкими слоями пористого кремния определяются гетеропереходом пористый кремний c-Si. Его свойства объяснены в рамках энергетической зонной диаграммы изотипного гетероперехода с противоположными направлениями изгибов зон по обе стороны перехода, обусловленными проявлением локальных состояний на границе. Фоточувствительность структур с толстым слоем пористого кремния определяется фотопроводимостью пористого кремния. Максимум спектральной зависимости фотопроводимости слоев пористого кремния находится при 400-500 нм. Полученные результаты сравниваются с известными для структур на основе пористого кремния, полученного анодизацией.
  1. P. Hlimonaz, O. Klima, A. Hospodkova, E. Hulicius, J. Oswald, E. v Sipek, J.Kov cka. Appl. Phys. Lett., 64, 3118 (1994)
  2. T. Ozaki, M. Araki, S. Yoshimura, H. Koyama, N. Koshida. J. Appl. Phys., 76, 1986 (1994)
  3. M.J. Heben, Y.S. Tsuo. MRS Symp. Proc., 283 (1993)
  4. A. Dafinei, G. Cracium, C. Flueraru, C. Sargentis, E. Niculescu. CAS'97 Proc. 1997 Int. Semicond. Conf. (Sinaia, Romania, 1997) p. 189
  5. W.H. Lee, H. Lee, C. Lee. J. Non-Cryst. Sol., 164--166, 965 (1993)
  6. J.P. Zheng, K.L. Jiao, W.P. Shen, W.A. Anderson, H.S. Kwok. Appl. Phys. Lett., 61, 459 (1992)
  7. H. Shi, Y. Zheng, Y. Wang, R. Yuan. Appl. Phys. Lett., 63, 770 (1993)
  8. Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 27, 1371 (1993)
  9. L.Z. Yu, C.R. Wie. Sensors and Actuators A, 39, 253 (1993)
  10. C. Tsai, K.-H. Li, J.C. Campbell, A. Tasch. Appl. Phys. Lett., 62, 2818 (1993)
  11. L.A. Balagurov, D.G. Yarkin, G.A. Petrovicheva, E.A. Petrova, A.F. Orlov, S.Ya. Andryushin. J. Appl. Phys., 82, 4647 (1997)
  12. А.Н. Лаптев, А.В. Проказников, Н.А. Рудь. Письма ЖТФ, 23, 59 (1997)
  13. Е.В. Астрова, А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 159 (1997)
  14. В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 245 (1997)
  15. N.J. Pulsford, G.L.J.A. Rikken, Y.A.R.R. Kessener, E.J. Lous, A.H.J. Venhuizen. J. Luminecs., 57, 181 (1993)
  16. C. Peng, K.D. Hirschman, P.M. Fauchet. J. Appl. Phys., 80, 295 (1996)
  17. G. Smestad, M. Kunst, C. Vial. Sol. Energy Mater. and Sol. Cells, 26, 277 (1992)
  18. Ю.А. Вашптанов. Письма ЖТФ, 23, 77 (1997)
  19. А.Б. Матвеева, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 29, 2180 (1995)
  20. П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, А.В. Петров, А.В. Петрухин, В.Ю. Тимошенко. Поверхность. Физика, химия, механика, 6, 75 (1994)
  21. А.В. Петров, А.В. Петрухин. ФТП, 28, 82 (1994)
  22. C.C. Yeh, K.Y.J. Hsu, L.K. Samanta, P.P. Chen, H.L. Hwang. Appl. Phys. Lett., 62, 1617 (1993)
  23. D.W. Boeringer, R. Tsu. Appl. Phys. Lett., 65, 2332 (1994)
  24. R.W. Fathauer, T. George, A. Ksendzov, R.P. Vasquez. Appl. Phys. Lett., 60, 995 (1992)
  25. J. Sarathy, S. Shih, Kin Jung, C. Tsai, K.-H. Li, D.-L. Kwong, J.C. Campbell, Shueh-Li Yau, A.J. Bard. Appl. Phys. Lett., 60, 1532 (1992)
  26. С.В. Свечнiков, Л.Л. Федоренко, Е.Б. Каганович, А.Д. Сардарлы, С.П. Дикий, С.В. Баранець. УФЖ, 39, 704 (1994)
  27. Л.Л. Федоренко, А.Д. Сардарлы, Э.Б. Каганович, С.В. Свечников, С.П. Дикий, С.В. Баранец. ФТП, 31, 6 (1997)
  28. С.П. Зимин, В.С. Кузнецов, Н.В. Перч, А.В. Проказников. Письма ЖТФ, 20, 22 (1994)
  29. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
  30. Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
  31. Л.Л. Казакова, А.А. Лебедев, Э.А. Лебедев. ФТП, 31, 7 (1997)
  32. P.H. Hao, X.Y. Hou, F.L. Zhang, Xun Wang. Appl. Phys. Lett., 64, 3602 (1994)
  33. O. Klima, P. Hlinomaz, A. Hospodkova, J. Oswald, J. Kov cka. J. Non-Cryst. Sol., 164--166, 961 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme