"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Диффузия легирующих примесей из полимерных диффузантов и применение этого метода в технологии полупроводниковых приборов О б з о р
Гук Е.Г.1, Каманин А.В.1, Шмидт Н.М.1, Шуман В.Б.1, Юрре Т.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Рассмотрены особенности нетрадиционного метода диффузии из полимерных диффузантов различных примесей в кремний и полупроводниковые соединения AIIIBV. Приведены результаты использования этого метода в технологии полупроводниковых приборов на кремнии и гетероструктурах AlGaAs/GaAs и InGaAs(P)/InP.
  • А.И. Борисенко, В.В. Новиков, Н.Е. Прихидько, И.М. Митникова, Л.Ф. Чепик. Тонкие неорганические пленки в микроэлектронике (Л., Наука, 1972)
  • Е.Г. Гук, А.В. Ельцов, Т.А. Юрре, В.Б. Шуман. Фоторезисты-диффузанты в полупроводниковой технологии (Л., Наука, 1984)
  • K.D. Beyer. J. Electrochem. Soc., 123, 1556 (1976)
  • K.D. Beyer. J. Electrochem. Soc., 124, 630 (1977)
  • А.Б. Любашевская, Л.А. Катаева, Л.А. Бобров. Вопросы радиоэлектроники, сер. ОТ, N 9, 17 (1968)
  • Н.Е. Прихидько, А.И. Борисенко, Л.Ф. Чепик, В.В. Новиков, И.М. Митникова. Вопросы радиоэлектроники, сер. ТПО, N 1, 20 (1970)
  • D.B. Zee. Sol. St. Electron., 10, 623 (1967)
  • V. Ramamurthy. ASTM. Special Technicial Publication. Fourth Int. Symp. on Semicond. Processing (San. Jose, CA, USA, 1987) p. 95
  • S.T. Ten, D.G.S. Chuan. Sol. Energy Mater., 19, 237 (1989)
  • B. Unger, U. Schade, M. Hannert et al. Proc. SPIE, 1128, 17 (1990)
  • N. Arnold, R. Schmitt, K. Heime. J. Phys. D, Appl. Phys., 17, 443 (1984)
  • H. Albrecht, Ch. Lauterbach. Jap. J. Appl. Phys., 25, Part 2, L589 (1986)
  • D.L. Murrell. Semicond. Sci. Technol., 5, 414 (1990)
  • А.В. Ельцов, Е.Г. Гук, Т.А. Юрре. Письма ЖТФ, N 1, 258 (1975)
  • Pat. USA (1993) N 5094976
  • С.В. Беляков, Л.А. Бусыгина, А.Т. Гореленок, А.В. Каманин, В.А. Кукатов, А.В. Меркулов, И.А. Мокина, Н.М. Шмидт, Т.Ф. Юрре. Письма ЖТФ, N 18, 35 (1992)
  • B.Ya. Ber, L.A. Busygina, A.T. Gorelenok, A.V. Kamanin, A.V. Merkulov, I.A. Mokina, N.M. Shmidt, I.Yu. Yakimenko, T.A. Yurre. Proc. 17th Conf. on Defects in Semicond. (Gmunden, Austria) [Materials Science Forum, 143--147, 1415 (1994)]
  • A.V. Kamanin, A.V. Merkulov, A.M. Mintairov, I.A. Mokina, N.M. Shmidt, L.A. Busygina, T.A. Yurre. Proc. of CAS'95 Int. Semicond. Conf. (Sinaia, Romania, 1995) p. 293
  • A.V. Kamanin, I.A. Mokina, N.M. Shmidt, L.A. Busygina, T.A. Yurre. Proc. 8th Int. Conf. on InP and Related Compounds (Schwabisch Gmund, Germany, 1996) p. 334
  • B. Tuck, A. Hooper. J. Phys. D, Appl. Phys., 8, 1806 (1975)
  • M. Glade, J. Hergeth, D. Grutzmacher, K. Masseli, P. Balk. J. Cryst. Growth, 108, 449 (1991)
  • Б.И. Болтакс, Т.Д. Джафаров, Ю.П. Демаков, И.Е. Морончук. ФТП, 9, 825 (1975)
  • A.V. Kamanin, I.A. Mokina, N.M. Shmidt. Sol. St. Electron., 39, 1441 (1996)
  • D.R. Campbell, K.K. Shih. Appl. Phys. Lett., 19, 330 (1971)
  • C.P. Lee, S. Margalit, A. Yariv. Sol. St. Electron., 21, 905 (1978)
  • Y.-R. Yuan, K. Eda, G.A. Vawter, J.L. Merz. J. Appl. Phys., 54, 6044 (1983)
  • В.М. Андреев, О.В. Сулима. ЖТФ, 54, 1320 (1984)
  • S.E. Blum, M.B. Small, D. Gupta. Appl. Phys. Lett., 42, 108 (1983)
  • S.K. Ageno, R.J. Roedel, N. Mellen, J.S. Escher. Appl. Phys. Lett., 47, 1193 (1985)
  • B.Ya. Ber, A.T. Gorelenok, A.V. Kamanin, A.V. Merkulov, A.M. Mintairov, I.A. Mokina, N.M. Shmidt, I.Yu. Yakimenko. Proc. 23rd Int. Symp. Compound Semiconductors (St. Petersburg, Russia, 1996) [Inst. Phys. Conf. Ser., 155, 965 (1997)]
  • Р.М. Кундухов, С.Г. Метревели, Н.В. Сиукаев. ФТП, 1, 924 (1967)
  • A. Hooper, B. Tuck, A.J. Baker. Sol. St. Electron., 17, 531 (1974)
  • G.J. van Gurp, T. van Dongen, G.M. Fontijn, J.M. Jacobs, D.L. Tjaden. J. Appl. Phys., 65, 553 (1989)
  • K. Kazmierski, A.M. Huber, G. Morillot, B. de Cremoux. Jap. J. Appl. Phys., 23, Part 1, 628 (1984)
  • Y. Matsumoto. Jap. J. Appl. Phys., 22, 1699 (1983)
  • G.J. van Gurp, P.R. Boudewijn, M.N.C. Kempeners, D.L. Tjaden. J. Appl. Phys., 61, 1846 (1987)
  • U. Schade, P. Enders. Semicond. Sci. Technol., 7, 752 (1992)
  • T.Y. Tan, S. Yu, U. Gosele. Optical Quant. Electron., 23, S863 (1991)
  • N.N. Faleev, A.T. Gorelenok, A.V. Kamanin, I.A. Mokina, A.V. Merkulov, E.L. Obukhova, N.M. Shmidt. Proc. 7th Int. Conf. on InP and Related Compounds (Sapporo, Japan, 1995) p. 105
  • A.T. Gorelenok, N.N. Faleev, A.V. Kamanin, A.V. Merkulov, I.A. Mokina, E.L. Obukhova, N.M. Shmidt. Proc. 8th Conf. on Semi-Insulat. III--V Mater. (Warsaw, Poland) [ Semi-insulating III--V Materials, ed. by M. Godlewski (Singapore, World Scientific Co. Pte. Ltd., 1994) p. 279]
  • B.Ya. Ber, E.G. Guk, A.V. Kamanin, Yu.A. Kudryavtsev, I.A. Mokina, N.M. Shmidt, V.B. Shuman, L.A. Busygina, T.A. Yurre. Vacuum Sci. Technol. B, 16, 426 (1998)
  • H. Shiraki. Japan J. Appl. Phys., 14, 747 (1975)
  • G.A. Rozgonui, P.M. Petroff, M.H. Read. J. Electrochem. Soc., 122, 1725 (1975)
  • S.J. Silverman, J.B. Singleton. J. Electrochem. Soc., 105, 591 (1958)
  • Р.В. Конакова, В.Б. Шуман. Электрон. техн., сер. 2, N 5, 66 (1970)
  • Е.Г. Гук, В.Б. Шуман. Вопросы радиоэлектроники, сер. ТПО, N 3, 23 (1981)
  • Е.Г. Гук, В.Б. Шуман, Т.А. Юрре. Тр. конф. "Технология мощных полупроводниковых приборов" (Валгус, Таллин, 1987) с. 43
  • W.M. Bullis. Sol. St. Electron., 9, 143 (1966).!! vadjust !!
  • R.O. Carlson, R.N. Hall, E.M. Pell. J. Phys. Chem. Sol., 8, 81 (1959)
  • Е.Г. Гук, А.В. Ельцов, С.Ф. Луизова, В.Б. Шуман, Т.А. Юрре. Письма ЖТФ, 11, 227 (1985)
  • М.М. Ахмедова, А.Ф. Кардо-Сысоев, И.Г. Чашников, В.Б. Шуман. ФТП, 9, 817 (1975)
  • В.П. Решетин, В.Б. Шуман. РЭ, 25, 436 (1980)
  • В.Б. Шуман. РЭ, 25, 1560 (1980)
  • А.Ф. Кардо-Сысоев, В.П. Решетин, В.Б. Шуман. РЭ, 20, 1484 (1975)
  • А.Ф. Кардо-Сысоев, В.П. Решетин, В.Б. Шуман. РЭ, 20, 1768 (1975)
  • А.С. Зубрилов, В.Б. Шуман. ЖТФ, 57, 1843 (1987)
  • А.С. Зубрилов, О.А. Котин, В.Б. Шуман. ФТП, 23, 607 (1989)
  • Е.Г. Гук, В.Б. Шуман, М.З. Шварц. Письма ЖТФ, 21, 40 (1995)
  • R.D. Nasby, C.M. Garner, F.W. Sexton, J.L. Rodriguez, B.H. Rose, H.T. Weaver. Solar Cells, 6, 49 (1982)
  • A.R. Kirkpatrick, J.A. Minnucci, A.C. Greenwald. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-24, 429 (1977)
  • И.Ю. Волчек, Е.Г. Гук, В.Б. Шуман, Д.В. Тархин. Гелиотехника, N 4, 26 (1991)
  • B. Lax, S.F. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
  • А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы. Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987)
  • М.М. Колтун. Оптика и метрология солнечных элементов (М., Наука, 1985)
  • Е.Г. Гук, Н.С. Зимогорова, М.З. Шварц, В.Б. Шуман. ЖТФ, 67, 129 (1997)
  • Е.Г. Гук, Т.А. Налет, М.З. Шварц, В.Б. Шуман. ФТП, 31, 855 (1997)
  • В.М. Андреев, А.Т. Гореленок, М.З. Жингарев, Л.Е. Клячкин, В.В. Мамутин, Н.М. Сараджишвили, В.И. Скопина, О.В. Сулима, Н.М. Шмидт. ФТП, 19, 668 (1985)
  • A.J. Moseley, M.Q. Kearley, R.C. Morris, J. Urquhart, M.J. Goodwin, G. Harris. Electron. Lett., 27, 1566 (1991).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.